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TN1215-600B-TR的图片

TN1215-600B-TR

ST图标
分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:SCR 600V 12A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,TN1215-600B-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TN1215-600B-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的TN1215-600B-TR是一款采用标准恢复型架构的晶闸管(SCR)。该器件基于成熟的半导体工艺,其核心PNPN四层结构设计确保了在触发后能够实现稳定的自保持导通状态,直至主回路电流低于维持电流。这种架构提供了可靠的单向电流控制能力,是实现交流或直流大功率开关与相位控制功能的基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其高达600V的断态重复峰值电压(VDRM,使其能够从容应对工业级应用中的电压波动与瞬态冲击,为系统提供了宽裕的安全裕量。通态平均电流(IT(AV))为8A,通态有效电流(IT(RMS))可达12A,表明其具备处理持续中大电流负载的能力。同时,其最大通态压降(VTM)仅为1.6V,这意味着在导通期间的功率损耗较低,有助于提升整体能效并简化散热设计。

在触发与控制方面,TN1215-600B-TR的栅极触发电压(VGT)最大值为1.3V,触发电流(IGT)最大值为15mA,属于低门极驱动需求,这使其能够与常见的微控制器或逻辑电路直接接口,简化了驱动电路的设计。其维持电流(IH)最大为40mA,断态漏电流(IDRM)低至5A,这些参数共同保障了器件在关断状态下的高阻抗特性与低静态功耗,以及在导通状态下的稳定保持能力。其非重复浪涌电流(ITSM)在50Hz下可达115A,展现了出色的抗瞬时过载能力。对于需要稳定供货与技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

该器件采用表面贴装型TO-252-3(DPak)封装,这种封装形式兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率,便于自动化生产。其宽泛的工作温度范围(-40°C至125°C)确保了在严苛环境下的可靠性。基于这些特性,TN1215-600B-TR非常适用于交流相位控制、电机控制、固态继电器、工业加热控制、照明调光以及不间断电源(UPS)等领域的功率开关与调节电路,为工程师提供了一个高效、紧凑且可靠的半导体开关解决方案。

  • 型号:TN1215-600B-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
  • 描述:SCR 600V 12A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA
  • 电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V
  • 电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 电流 - 断态(最大值):5 A
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):115A,110A
  • SCR 类型:标准恢复型
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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TN1215-600B-TR是ST意法半导体生产的一款标准恢复型晶闸管(SCR)。该器件设计用于中高功率开关应用,其核心优势在于600V的高断态电压额定值12A的通态有效电流能力,提供了稳健的电压耐受性和持续的负载处理性能。

器件具备低至1.3V/15mA的栅极触发特性,便于驱动,同时最大1.6V的通态压降有助于降低导通损耗。其采用表面贴装DPak封装,支持-40°C至125°C的工业级工作温度范围,适用于要求高可靠性和节省电路板空间的设计。

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