BUT11A

BUT11A是ST意法半导体推出的一款高压大功率NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-220-3通孔封装，专为要求高耐压和强电流处理能力的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的平面工艺，通过优化的掺杂和结深控制，实现了高达450V的集电极-发射极击穿电压（V_CEO）与5A连续集电极电流（I_C）的可靠组合，确保了器件在高压环境下的稳定工作窗口。

该器件的一个显著特点是其出色的功率处理能力，最大功耗可达83W，这得益于其良好的热设计和TO-220封装与散热器之间的低热阻特性。在饱和导通状态下，其集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）典型值较低，例如在2.5A集电极电流和500mA基极电流条件下，最大值为1.5V，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。直流电流增益（h_FE）在500mA、5V条件下最小值为10，这一参数表明其驱动要求相对直接，便于设计驱动电路。其工作结温高达150°C，赋予了其在恶劣热环境下的应用潜力。

在接口与参数层面，BUT11A作为三端器件，引脚定义符合TO-220标准。其关键电气参数，包括450V的耐压、5A的电流容量以及1mA的集电极截止电流，共同定义了其安全工作区（SOA）。用户在设计时，特别是通过ST授权代理获取原厂技术支持时，需严格参考数据手册中的降额曲线，确保在高压、大电流切换时工作在安全区域内，并配备足够的散热措施以发挥其最大性能。

基于其高压、大电流的特性，该晶体管非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动、UPS（不间断电源）系统以及工业照明控制等场景。在这些应用中，它常扮演功率开关的角色，用于高效地控制能量流动。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护、备件替换或对成本极其敏感且不追求最新工艺的设计中，它依然是一个经过长期市场验证的可靠选择。

• 型号:BUT11A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:450 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 500mA，5V
• 功率 - 最大值:83 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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BUT11A是ST意法半导体生产的一款NPN型高压功率双极性晶体管。该器件采用TO-220封装，核心电气特性表现为高达450V的集电极-发射极击穿电压和5A的连续集电极电流处理能力，使其能够胜任高压环境下的功率开关任务。

其最大功耗为83W，并支持高达150°C的工作结温，具备良好的功率耐受性和热可靠性。在饱和导通时，集电极-发射极压降较低，有助于减少导通损耗。该晶体管主要面向需要高压开关和线性放大的工业级应用，如电源转换和电机驱动电路。