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TN2010H-6G-TR的图片

TN2010H-6G-TR

ST图标
分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:SCR 600V 20A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,TN2010H-6G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TN2010H-6G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的TN2010H-6G-TR是一款采用DPAK(TO-263AB)表面贴装封装的灵敏栅极晶闸管(SCR)。该器件基于优化的半导体工艺架构,旨在实现高电压阻断能力和低导通损耗的平衡。其核心结构确保了在高达600V的断态电压下,漏电流被严格控制在微安级,同时通过精密的栅极设计,实现了快速、可靠的触发与关断特性,为功率控制应用提供了坚实的硬件基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高电流处理能力与优异的触发灵敏度上。其通态电流(RMS)额定值高达20A,平均通态电流(It(AV))为12.7A,能够承受显著的稳态功率。其最大通态压降(Vtm)仅为1.6V,有效降低了导通状态下的功耗和热损耗。作为灵敏栅极SCR,其栅极触发电压(Vgt)最大值低至1.3V,触发电流(Igt)最大值仅为10mA,这意味着它可以使用驱动能力较弱的控制电路(如微控制器GPIO或小信号逻辑电路)直接或通过简单缓冲进行可靠触发,简化了系统设计。此外,其保持电流(Ih)最大值为40mA,确保了在触发后能够稳定维持导通状态。

在接口与关键参数方面,TN2010H-6G-TR提供了全面的电气鲁棒性。其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz条件下分别达到197A和180A,展现了强大的抗瞬时过载能力。工作结温范围宽达-40°C至150°C,使其能够适应苛刻的工业环境。其表面贴装型DPAK封装不仅提供了良好的散热性能,便于通过PCB铜箔进行热管理,也符合现代自动化贴装生产的需求。对于需要稳定供应链的客户,可以通过可靠的ST芯片代理获取该产品及相关的技术支持。

基于上述特性,该器件非常适合应用于需要高效、可靠功率切换与控制的领域。典型应用场景包括交流电机驱动、固态继电器(SSR)、工业加热控制、照明调光系统、不间断电源(UPS)以及各类家电和工业设备的交流电源开关模块。其灵敏栅极特性尤其适合与数字控制系统集成,为实现智能化功率管理提供了高效的半导体解决方案。

  • 型号:TN2010H-6G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > SCR
  • 描述:SCR 600V 20A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):10 mA
  • 电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V
  • 电流 - 通态 (It (AV))(最大值):12.7 A
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 电流 - 断态(最大值):5 A
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):197A,180A
  • SCR 类型:灵敏栅极
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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TN2010H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装灵敏栅极晶闸管(SCR)。该器件核心优势在于其600V的高压阻断能力20A RMS / 12.7A AV的通态电流容量,结合低至1.6V的最大通态压降,确保了高效的功率处理与较低的通态损耗。

其作为灵敏栅极SCR的关键特性是极低的驱动需求,最大栅极触发电压(Vgt)仅1.3V,最大触发电流(Igt)为10mA,便于直接由低压控制电路驱动,简化了系统设计。宽泛的工作结温范围(-40°C ~ 150°C)和强大的浪涌电流承受能力(Itsm高达197A),使其能够胜任严苛的工业环境与存在瞬时过载风险的应用场景。

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