BAT43

BAT43是ST意法半导体推出的一款采用DO-35轴向封装的小信号肖特基势垒二极管。其核心架构基于金属-半导体结原理，该结构在正向偏置时，多数载流子（电子）能够快速越过势垒，从而实现了极低的正向压降和极高的开关速度。这种设计避免了传统PN结二极管中少数载流子存储与复合带来的延迟，使其在射频和高速开关电路中表现出色。

该器件在功能上具备多项突出特性。其正向压降（Vf）典型值仅为1V（在200mA条件下），显著低于同等电流下的硅PN结二极管，这有助于降低电路中的导通损耗和热耗散。其反向恢复时间（trr）极短，典型值为5纳秒，这使其能够胜任高频整流和高速开关应用，有效减少开关噪声和信号失真。同时，反向漏电流在25V反向电压下仅为500nA，表现出良好的反向阻断特性。此外，其结电容（Cj）在1V、1MHz条件下低至7pF，这对于保持高频信号的完整性、减少对电路Q值的影响至关重要。

在电气参数方面，BAT43定义了明确的工作边界。其最大反向重复峰值电压（Vr）为30V，平均整流输出电流（Io）为200mA DC，适用于低电压、小电流的精密信号处理场景。其速度分类涵盖小信号（≤200mA）全速域，兼容从直流到甚高频的宽频带操作。标准的DO-35轴向通孔封装使其兼容传统的穿孔焊接工艺，具有良好的机械强度和散热路径，便于在实验板或PCB上进行安装与替换。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理进行采购。

基于其低Vf、高速、低电容的特性，BAT43广泛应用于需要高效率和高频率的场合。典型应用包括射频检波与混频电路、高速逻辑电路中的钳位与保护二极管、精密仪器仪表中的信号采样与整流，以及便携式设备中的低压电源整流。它也是构建峰值检波器、采样保持电路和超高频（UHF）段信号处理单元的优选器件，能够有效提升系统的整体能效和响应速度。

• 型号:BAT43
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):200mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):5 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 25 V
• 不同Vr、F 时电容:7pF @ 1V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
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BAT43是ST意法半导体生产的一款小信号肖特基二极管，采用DO-35轴向封装。其核心优势在于极低的正向压降（1V @ 200mA）与极快的开关速度（反向恢复时间5ns），这使其在降低导通损耗和实现高频操作方面表现卓越。

该器件具备30V的最大反向电压和200mA的平均整流电流能力，适用于低功率场景。其反向漏电流低至500nA @ 25V，结电容仅为7pF @ 1V, 1MHz，确保了在高频信号路径中的良好隔离性与低信号衰减，非常适合射频检波、高速开关及信号钳位等精密电路应用。