STH185N10F3-2

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q101认证的STripFET F3系列中的一员，STH185N10F3-2是一款采用先进技术打造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的垂直沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用H2PAK-2封装，这是一种专为大电流应用设计的高性能表面贴装封装，具有良好的热性能和功率处理能力，确保在严苛的电气和热环境下稳定工作。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流处理能力与高效的导通性能。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达180A，而漏源击穿电压为100V，适用于中高电压平台。其导通电阻在10V栅极驱动、60A电流条件下典型值极低，最大值仅为4.5毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压最大值为4V，并支持±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。

在动态参数方面，STH185N10F3-2展现了针对开关应用优化的特性。在10V栅源电压下，其最大栅极电荷为114.6nC，结合6665pF的输入电容，意味着在合理的栅极驱动电路设计下，可以实现快速的开关转换，减少开关损耗。器件的最大功率耗散为315W，结合其宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够承受瞬态过载和高温环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与支持。

凭借其高电流、低导通电阻和AEC-Q101车规级认证，这款MOSFET主要面向对可靠性和性能要求极高的汽车电子应用场景。例如，它非常适合用作电动或混动车辆中的电机驱动控制器、DC-DC转换器的主开关、电池管理系统中的负载开关，以及各类大电流的电源分配单元。其表面贴装的H2PAK-2封装也适用于需要高功率密度的工业电源、不间断电源和电焊设备等，为设计工程师提供了在有限空间内处理高功率的可靠解决方案。

• 型号:STH185N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH185N10F3-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET F3系列。该器件采用H2PAK-2封装，核心优势在于其100V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流处理能力，能够满足严苛的大功率应用需求。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、60A电流条件下最大值仅为4.5毫欧，这显著降低了导通损耗，有助于提升系统能效。同时，器件支持±20V的栅源电压，并具备-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在汽车及工业环境下的高可靠性和稳健性。