STPSC12065G-TR

STPSC12065G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）材料制造的肖特基势垒二极管。该器件属于其ECOPACK2环保产品系列，采用经典的TO-263-3（DPak）表面贴装封装，专为要求高效率、高频率和高可靠性的现代功率电子应用而设计。其核心优势在于利用了碳化硅材料的优异物理特性，相比传统硅基快恢复二极管，在高温、高压和高频工作条件下实现了性能的飞跃。

该二极管最显著的特性是零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。这一特性从根本上消除了传统硅PIN二极管在开关过程中因少数载流子复合而产生的反向恢复损耗和电流尖峰。这意味着在诸如功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）以及DC-DC变换器等硬开关拓扑中，它可以显著降低开关损耗，提升系统整体效率，并允许使用更高的开关频率，从而减小无源磁性元件的体积和成本。其正向压降（Vf）在12A额定电流下典型值仅为1.45V，结合高达650V的反向重复峰值电压（VRRM）和12A的平均正向电流（IF(AV)）规格，为设计提供了宽裕的安全裕度。

在电气参数方面，除了优异的静态和动态特性，STPSC12065G-TR在高温下的表现同样出色。其反向漏电流在650V反向电压和最高结温下仍能维持在极低水平，确保了高温环境下的稳定性和可靠性。极低的反向恢复特性也简化了缓冲电路设计，甚至在某些应用中可以省略缓冲电路，进一步简化系统并降低成本。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理渠道进行采购，以确保获得原装正品和完整的供应链服务。

基于其卓越性能，这款碳化硅肖特基二极管非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源、工业电机驱动中的辅助电源、太阳能光伏逆变器的升压电路，以及电动汽车车载充电机（OBC）等。在这些场景中，它能够帮助工程师突破传统硅器件的性能瓶颈，实现更高效、更紧凑、更可靠的电源解决方案设计。

• 型号:STPSC12065G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):12A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 12 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:750pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC12065G-TR是ST意法半导体生产的一款650V/12A碳化硅（SiC）肖特基二极管，采用D2PAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了传统硅基快恢复二极管无法比拟的性能。

其核心卖点在于零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），这彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗与电流振荡，显著提升高频硬开关电路的效率。同时，它在12A额定电流下的正向压降仅为1.45V，兼具低导通损耗。高达650V的阻断电压和优异的温度稳定性，使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。