STP16NF25

STP16NF25是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，其内部架构通过优化的单元设计和工艺制程，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种设计使得器件在提供高耐压能力的同时，能够有效降低开关过程中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。

作为一款高压功率开关，其核心特性包括高达250V的漏源击穿电压（Vdss）和14A的连续漏极电流承载能力。在驱动方面，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，且标准10V驱动电压下即可实现低至235毫欧的导通电阻（Rds(on)），这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为18nC，结合680pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动电路的设计可以更为简化，能够实现快速的开通与关断，有利于在高频开关电源等应用中提升效率。器件的栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕度，而其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

在电气接口与参数层面，该MOSFET的功率耗散能力在管壳温度（Tc）条件下可达100W，这要求在实际应用中必须配合适当的散热措施，例如安装散热片，以充分发挥其电流处理能力并保证长期稳定运行。其通孔TO-220AB封装形式成熟可靠，便于在各类电源板卡和功率模块上进行安装与焊接。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取原厂正品、详细的技术资料以及应用指导。

凭借其高压、大电流和低导通电阻的特性，STP16NF25非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。典型的应用领域包括离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器中的H桥或半桥拓扑，以及各类工业级DC-DC变换器和逆变器。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护、备件供应或对成本敏感且技术成熟度要求高的设计中，它仍然是一个经过市场长期验证的可靠选择。

• 型号:STP16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP16NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括250V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

其技术优势在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为235毫欧，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值18nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升高频电源电路的效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统中高效功率开关的理想选择。