STW9N80K5

意法半导体推出的STW9N80K5是一款采用先进MDmesh K5技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过创新的单元结构和外延层工艺，在保持高阻断电压的同时，显著改善了开关性能与导通损耗之间的平衡。其核心在于实现了极低的栅极电荷（Qg）与输出电容（Coss），这对于提升高频开关电源的效率至关重要，同时其稳健的体二极管特性也增强了在硬开关应用中的可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC变换器中的高压母线波动，为设计提供了充裕的安全裕量。在结温（Tc）25°C条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7A，结合仅900毫欧（在3.5A，10V条件下）的导通电阻（Rds(on)）最大值，意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可获得优异的导通特性，且栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），有助于降低驱动电路的损耗并简化设计。

在接口与参数方面，STW9N80K5采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散可达110W（Tc）。器件支持±30V的最大栅源电压（Vgs），提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其输入电容（Ciss）在100V条件下最大值为340pF，较低的电容值有利于实现快速的开关瞬态。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行，用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借高耐压、低导通电阻和快速开关的优异组合，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧PFC和PWM电路、工业电机驱动和逆变器、照明用电子镇流器以及UPS不同断电源系统等。在这些应用中，它能够有效降低开关损耗和导通损耗，帮助系统满足日益严格的能效标准，是实现紧凑、高效功率转换解决方案的关键组件。

• 型号:STW9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW9N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于结合了800V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)），这使其在高压应用中能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件在25°C结温下额定连续漏极电流为7A，并具备极低的栅极电荷（Qg，最大值12nC），这有助于实现快速开关并减少驱动损耗，特别适用于高频开关电源设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠性与稳定性。