STP18N60DM2

STP18N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能平衡。其核心在于DM2代超结技术，通过创新的电荷平衡原理，显著降低了导通损耗和栅极电荷，从而提升了整体能效。这种架构使得器件在高压环境下能够维持稳定的电气特性，为高功率密度应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，能够承受严苛的离线式开关环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）可达12A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅源驱动电压、6A漏极电流的典型工作点下，最大值仅为295毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，栅极总电荷（Q_g）典型值低至20nC（@10V），结合800pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提高开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。阈值电压V_GS(th)最大值为5V，确保了良好的噪声抑制。最大结温（T_J）为150°C，配合90W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在高温环境下稳定运行。用户可以通过授权的ST代理商获取完整的数据手册、应用笔记以及技术支持，以确保设计的合规性与可靠性。

凭借其高性能指标，STP18N60DM2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、照明系统的电子镇流器以及UPS（不间断电源）的功率级。在这些场景中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升系统整体效率，降低温升，从而实现更紧凑、更节能的电源设计方案。

• 型号:STP18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP18N60DM2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP18N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，在TO-220封装内实现了600V漏源电压与12A连续漏极电流的高压大电流处理能力，主要面向高效率的功率开关应用。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（R_DS(on)）最大值低至295mΩ @ 10V，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g典型值20nC）和输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业电源系统中提升能效和功率密度的理想选择。