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ESDA20P50-1U1M的图片

ESDA20P50-1U1M

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 18VWM
原厂封装:封装:-
优势价格,ESDA20P50-1U1M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDA20P50-1U1M的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDA20P50-1U1M是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA系列瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款高性能产品。该器件采用先进的半导体工艺和优化的齐纳二极管架构,其核心设计旨在为敏感电子线路提供快速、可靠的过压保护。其内部结构经过精心设计,能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰,通过雪崩击穿效应将过高的电压钳位在安全水平,从而有效防止下游集成电路、数据端口或电源线路因静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或其他浪涌事件而损坏。

该器件具备多项突出的功能特性。其标称反向关断电压为18V,最小击穿电压为18.5V,为工作在典型12V或15V逻辑电平的电路提供了充足的安全裕度。高达40A(8/20s波形)的峰值脉冲电流处理能力和1100W的峰值脉冲功率耗散能力,使其能够吸收并消散强烈的能量冲击。作为单向TVS二极管,它专门用于保护对电压极性有明确要求的直流线路。其表面贴装(SMD)封装形式便于自动化生产,并能有效节省PCB空间,而高达150°C的结温(Tj)则确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

在电气参数方面,ESDA20P50-1U1M提供了精确的电压保护阈值和强大的浪涌承受能力。其设计兼顾了低漏电流与快速响应速度,在正常工作时对电路影响极小,仅在检测到危险过压时瞬间动作。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户,通过ST一级代理进行采购是确保产品正品与获取专业选型建议的可靠途径。这些参数共同定义了其在过压保护领域的核心价值。

基于其通用型保护定位和稳健的性能,ESDA20P50-1U1M广泛应用于各类需要18V左右钳位保护的场景。典型应用包括但不限于:工业自动化设备中的传感器接口、通信模块的I/O端口、消费电子产品的USB或HDMI数据线保护、车载电子系统的低压电源总线以及任何可能暴露于ESD或浪涌风险的直流电源和数据线路。它为工程师提供了一种高效、紧凑的解决方案,以提升整个电子系统的电磁兼容性(EMC)和鲁棒性。

  • 型号:ESDA20P50-1U1M
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:-
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 18VWM
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):18V
  • 电压 - 击穿(最小值):18.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):40A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1100W(1.1kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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ESDA20P50-1U1M是ST意法半导体生产的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其ESDA产品系列。该器件设计用于为电子线路提供高效的过压保护,其核心参数包括18V的反向关断电压、18.5V的最小击穿电压,以及高达40A(8/20s)的峰值脉冲电流处理能力。

凭借1100W的峰值脉冲功率和150°C的最大结温,该器件能够可靠地钳制并消散由静电放电(ESD)或电气瞬变引起的能量冲击。其表面贴装形式适用于高密度PCB设计,是一款针对通用直流线路保护需求而优化的稳健解决方案。

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