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VNS14NV04PTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,VNS14NV04PTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNS14NV04PTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体OMNIFET II和VIPower系列中的一员,VNS14NV04PTR-E是一款高度集成的智能功率开关,采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造。该芯片将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路集成在单一封装内,构成了一个完整的低端开关解决方案。其核心是一个N沟道垂直功率MOSFET,通过内部电荷泵提供高效的栅极驱动,确保在宽泛的输入电压范围内实现稳定可靠的开关操作,无需外部提供VCC或VDD电源,极大地简化了系统设计。

该器件具备多项关键功能特性,其导通电阻典型值仅为35毫欧,最大导通电阻也控制在这一水平,这直接带来了极低的传导损耗和出色的热性能,使其能够持续处理高达12A的负载电流。其输入接口采用非反相的开/关逻辑控制,兼容3.3V和5V微控制器电平,便于直接驱动。更为重要的是,芯片内部集成了多重故障保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位。这些保护功能是自动触发的,无需外部元件或软件干预,能够有效防止因短路、过载或异常工作条件导致的器件或负载损坏,显著提升了系统的鲁棒性和长期可靠性。

在电气参数方面,VNS14NV04PTR-E设计用于驱动最高36V的负载,覆盖了汽车和工业应用中常见的24V系统需求。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在恶劣环境下的稳定运行。器件采用标准的8引脚SO封装,支持表面贴装工艺,并提供卷带(TR)和剪切带(CT)包装选项,适合自动化生产线。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST一级代理进行采购,以获取原厂正品和完整的供应链服务。

凭借其高集成度、高可靠性和易用性,这款智能开关非常适合要求苛刻的应用场景。在汽车电子领域,它常用于驱动继电器、螺线管、小型电机以及各类电阻性或感性负载,如车窗升降器、座椅调节器、燃油喷射器和灯组。在工业自动化中,它可用于可编程逻辑控制器(PLC)的输出模块、电磁阀驱动、电机控制以及电源分配管理。其坚固的设计和内置保护使其成为替代传统分立式“MOSFET+驱动+保护电路”方案的理想选择,能够有效节省PCB空间,降低BOM成本,并加速产品开发周期。

  • 型号:VNS14NV04PTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):12A
  • 导通电阻(典型值):35 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • 想获取VNS14NV04PTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS14NV04PTR-E是ST意法半导体推出的一款单通道、低端配置的N沟道智能功率开关,隶属于OMNIFET II和VIPower产品系列。该器件集成了功率MOSFET、驱动电路及全面的保护功能于8-SO封装内,无需外部供电电压(Vcc/Vdd),极大简化了系统设计。

其核心优势在于高达12A的输出电流能力仅35毫欧的低导通电阻,确保了高效的功率处理和最低的传导损耗。器件支持最大36V的负载电压,并内置了固定限流、过温关断和过压保护,提供了高可靠性的故障管理。宽泛的工作结温范围(-40°C至150°C)使其能够胜任汽车与工业环境中的各种阻性、感性和容性负载的驱动任务。

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