STB100NH02LT4

STB100NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的卓越平衡。这种核心架构设计显著降低了传导损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中能够提供出色的能效表现。其D2PAK（TO-263）表面贴装封装不仅提供了优异的功率处理能力和热性能，还便于自动化生产，满足现代电子装配的需求。

该MOSFET的额定漏源电压（V_DSS）为24V，在壳温（T_C）为25°C时，连续漏极电流（I_D）高达60A，展现出强大的电流处理能力。其关键电气特性包括：在10V栅源驱动电压（V_GS）和30A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至6毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率耗散。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1.8V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。尽管该器件已处于停产状态，但其性能参数在特定应用领域仍具参考价值，用户可通过ST授权代理查询库存或替代方案。

在动态特性方面，STB100NH02LT4在10V V_GS下的总栅极电荷（Q_g）最大值仅为64nC，结合15V V_DS下最大2850pF的输入电容（C_iss），共同决定了其快速的开关速度，有助于提升系统频率并降低开关损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。器件支持-55°C至175°C的宽结温（T_J）工作范围，并在壳温条件下最大功率耗散为100W，其热特性使其能够应对苛刻的环境条件。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速的开关性能，STB100NH02LT4非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括低压大电流的DC-DC转换器（如同步整流、负载点转换）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STB100NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB100NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，专为表面贴装应用设计，其核心优势在于24V的漏源电压（V_DSS）下提供了高达60A（T_C=25°C）的连续电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优异结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至6毫欧（@30A），显著降低了传导损耗。同时，总栅极电荷（Q_g）最大值仅为64nC（@10V），有利于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其成为低压、大电流功率转换和电机驱动应用的理想选择。