STF9N60M2

STF9N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其TO-220FP封装提供了良好的机械强度和热性能，便于在通孔安装的电源板上实现有效的散热管理。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5.5A，结合仅780毫欧（@3A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够保持较低的功率耗散。其栅极驱动特性同样优异，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V，而在10V驱动电压下的栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关过渡过程中的能量损失。此外，其输入电容（Ciss）在100V条件下最大值为320pF，结合±25V的最大栅源电压容限，为设计提供了充足的裕度和稳定性。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP（绝缘型）封装，其通孔引脚便于焊接和安装。其最大结温（Tj）高达150°C，在壳温条件下的最大功率耗散为20W，展现了良好的热鲁棒性。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过ST授权代理渠道获取正品器件和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高开关频率潜力的特点，STF9N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换级。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STF9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与低至780毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，同时保持了极低的栅极电荷（Qg，最大值10nC）。

这些特性使其成为一个高效的高压开关解决方案。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）为5.5A，最大功率耗散为20W，最高工作结温可达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行与良好的热性能。该MOSFET专为优化开关电源和功率转换系统的效率与可靠性而设计。