STP24NM65N

STP24NM65N是ST意法半导体基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直型结构设计，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的折衷关系，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心在于实现了低导通损耗与快速开关性能的平衡，为高压开关应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压场合下的稳定运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、9.5A漏极电流条件下典型值仅为190毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在很低的水平。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为70nC，较低的栅极电荷需求简化了驱动电路设计，并有助于降低开关损耗，提升系统在高频工作下的整体效率。

在电气参数方面，STP24NM65N的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的范围，为驱动提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大为2500pF。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散能力为160W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，保证了在宽温环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与资源。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，这款器件非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及不同断电源（UPS）系统。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类产品中仍具有参考价值，适用于对现有系统进行维护或特定批次产品的设计。

• 型号:STP24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP24NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9.5A），有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为70nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源初级侧、PFC电路等高效能功率转换设计的理想选择。