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BUL1102EFP

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 450V 4A TO-220FP
原厂封装:封装:TO-220FP
优势价格,BUL1102EFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUL1102EFP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUL1102EFP是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能NPN功率双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-220FP(TO-220-3)通孔封装。该器件专为高电压、中等电流的开关和线性放大应用而设计,其核心架构基于成熟的平面工艺技术,确保了在严苛工作条件下的高可靠性和稳定性。其集电极-发射极击穿电压高达450V,集电极电流最大可达4A,这使其能够从容应对工业电源、电机控制等场合中常见的电压应力和电流负载。

在功能特性上,该晶体管表现出色。其饱和压降(Vce(sat))在典型工作点(Ic=2A, Ib=400mA)下最大仅为1.5V,这意味着在导通状态下产生的功耗较低,有助于提升整体系统的能效并简化散热设计。同时,器件具有高达30W的最大功耗能力150°C的最高结温(Tj),赋予了其强大的热鲁棒性,能够在环境温度较高的应用中稳定运行。其直流电流增益(hFE)在Ic=2A, Vce=5V时最小值为12,提供了足够的驱动能力,便于与控制器或驱动电路接口。

从接口和参数来看,BUL1102EFP采用标准的三引脚(发射极、基极、集电极)TO-220FP封装,便于在PCB上进行通孔安装和散热器装配。其集电极截止电流(Iceo)最大值为100A,体现了良好的关断特性,有助于降低待机功耗。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品,确保原装正品和完整的应用支持。这些参数共同定义了一款适用于要求严苛的功率处理场景的稳健型半导体开关。

基于其高耐压、中等电流和良好的开关特性,BUL1102EFP非常适合多种应用场景。它常被用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、电子镇流器、电机驱动电路中的预驱动器或中小功率继电器/接触器的替代方案,以及UPS系统和工业控制设备中的功率转换部分。其坚固的封装和宽泛的工作温度范围也使其成为家用电器、照明设备和自动化系统中功率控制单元的可靠选择。

  • 型号:BUL1102EFP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220FP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 400mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):12 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:30 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • 想获取BUL1102EFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUL1102EFP是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管,采用TO-220FP封装。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力:集电极-发射极击穿电压高达450V,最大集电极电流为4A,使其能够胜任高电压环境下的开关与放大任务。

该器件在效率与可靠性方面表现突出,其最大饱和压降仅为1.5V(@2A, 400mA),有助于降低导通损耗。同时,30W的最大功耗和150°C的最高结温确保了其在高温环境下仍能稳定工作,满足工业级应用的鲁棒性要求。这些特性使其成为电源转换、电机控制和工业驱动等领域的理想功率开关解决方案。

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