STU9N65M2

STU9N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅结构，通过优化的单元设计和先进的工艺制程，在硅片层面实现了低比导通电阻与高开关速度的良好平衡。其核心设计旨在降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C管壳温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）典型值仅为10nC，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步提升高频开关性能，降低开关损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的IPAK（TO-251）通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）高达150°C。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全范围。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于改善EMI性能。用户可通过正规的ST授权代理获取完整的技术资料与支持，以确保设计符合规范。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术特性使其在特定的应用场景中仍具参考价值。它主要适用于要求高耐压和中等电流能力的功率开关场合，例如AC-DC开关电源的初级侧开关、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制中的功率模块。在这些应用中，其MDmesh技术带来的高效率优势能够得到充分发挥，帮助系统设计在功耗、尺寸和成本之间取得优化。

• 型号:STU9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU9N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh产品系列。该器件核心规格为650V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），采用IPAK（TO-251）通孔封装。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现优异，同时极低的栅极电荷（Qg）有助于降低驱动损耗并提升开关频率，适用于对效率有较高要求的功率转换拓扑。