BUL128FP

BUL128FP是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管（BJT），采用NPN型结构，封装于经典的TO-220FP绝缘型通孔封装中。其核心架构基于成熟的平面工艺技术，通过优化的芯片设计和封装工艺，实现了高电压、大电流与良好热性能的平衡。该器件内部集成了快速恢复二极管，有助于在感性负载开关应用中抑制电压尖峰，提升系统的可靠性。

在功能特性方面，该晶体管展现出卓越的电气性能。其集电极-发射极击穿电压高达400V，能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中的高压母线环境。同时，4A的最大连续集电极电流能力确保了其具备可观的功率处理水平。值得关注的是，在4A的大电流条件下，其集电极-发射极饱和压降典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。其直流电流增益（hFE）在特定工作点具有一致性，有利于简化驱动电路的设计。对于需要可靠元器件供应的设计项目，专业的ST芯片代理能够提供全面的产品信息与供应链支持。

从接口与参数维度审视，BUL128FP提供了清晰明确的工作边界。其最大功耗为31W，结合TO-220FP封装良好的热传导特性，允许器件在高达150°C的结温下稳定运行，为系统散热设计留出了充足余量。集电极截止电流被控制在微安级别，体现了器件在关断状态下的低泄漏特性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其在诸多成熟且要求长期可靠性的应用设计中，依然是一个经过市场验证的经典选择。

在应用场景上，BUL128FP的高压、大电流特性使其非常适合用于离线式开关电源（SMPS）的功率开关、电子镇流器、电机控制驱动器以及通用工业逆变器中的功率级。其坚固的封装和宽泛的工作温度范围也使其能够适应工业控制、家用电器等对环境耐受性有一定要求的领域。工程师在选择此类功率器件时，需综合考虑其电压/电流定额、开关速度（虽未明确标注，但适用于中低速开关场合）以及散热条件，以确保系统长期稳定运行。

• 型号:BUL128FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 4A TO-220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 1A，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:14 @ 2A，5V
• 功率 - 最大值:31 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
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BUL128FP是ST意法半导体生产的一款高压大功率NPN双极性晶体管。该器件核心参数突出，具备400V的高集射极击穿电压和4A的最大集电极电流能力，能够处理可观的功率等级，最大功耗达31W。

其电气特性包括较低的饱和压降（500mV @ 4A），有助于减少导通损耗，以及最小值为14的直流电流增益（@ 2A, 5V）。器件采用TO-220FP通孔封装，最高结温为150°C，确保了在严苛环境下的热可靠性与稳定性。这些特性使其适用于要求高压开关和功率控制的各类电源与驱动应用。