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BUL216

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 800V 4A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,BUL216的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUL216的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUL216是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压大功率双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件基于成熟的NPN硅片工艺构建,其核心设计旨在提供高达800V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)和4A的连续集电极电流(IC)能力,这使其在高压开关和线性放大应用中能够承受显著的电压应力和电流负载。其内部结构经过优化,在高压下仍能保持良好的电流处理能力和可靠性。

该晶体管的一个关键特性是其出色的高压耐受性,集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))在2A集电极电流和660mA基极电流条件下典型值仅为3V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。其直流电流增益(hFE)在400mA集电极电流和5V集电极-发射极电压下最小值为12,确保了在驱动电路设计中有足够的电流放大能力。此外,集电极截止电流低至250A,有效减少了关断状态下的漏电功耗,而最大结温(TJ)高达150°C,配合90W的最大功耗能力,使其能够在高温环境下稳定工作,具备良好的热鲁棒性。

在电气接口和参数方面,BUL216提供了明确的操作边界。其800V的击穿电压使其适用于市电整流后或类似的高压直流母线环境。4A的电流能力使其能够直接驱动中小功率的感性或阻性负载。TO-220封装不仅便于通过散热片进行有效的热管理,也简化了在原型板或最终产品中的通孔安装流程。对于需要可靠高压开关解决方案的设计师而言,通过正规的ST代理商获取此器件,是确保供应链稳定和产品正品质量的重要环节。

基于其高压、中电流和坚固的封装特性,BUL216非常适合于要求严苛的工业与消费电子应用场景。典型的应用包括离线式开关电源(SMPS)中的开关元件、电子镇流器、电机控制驱动电路、UPS(不间断电源)系统以及高压线性稳压器。它在这些场景中常扮演着关键的功率开关或放大角色,其高耐压值特别适用于直接处理经过整流的220V/380V交流电线路,为系统主功率路径提供了可靠的半导体解决方案。

  • 型号:BUL216
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 800V 4A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):800 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 660mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):12 @ 400mA,5V
  • 功率 - 最大值:90 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取BUL216的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUL216是ST意法半导体生产的一款NPN型高压功率双极性晶体管。其核心电气参数定义了其在高压环境下的应用能力:800V的集射极击穿电压4A的连续集电极电流,使其能够胜任苛刻的功率开关任务。

该器件在2A电流下饱和压降仅为3V,有助于降低导通损耗,同时其最小直流电流增益为12,确保了有效的电流驱动。采用TO-220封装,最大功耗达90W且结温可达150°C,提供了良好的功率处理能力和热可靠性,适用于需要高压开关和功率控制的各类电源与工业驱动系统。

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