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M95020-WMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M95020-WMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95020-WMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95020-WMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的非易失性EEPROM技术构建,其核心架构围绕一个组织为256 x 8位(即2Kb容量)的存储阵列展开。内部集成了先进的控制逻辑和状态机,确保数据操作的可靠性与时序的精确性。其设计充分考虑了与微控制器或处理器的无缝对接,通过标准SPI(串行外设接口)进行通信,简化了系统设计并节省了宝贵的I/O引脚资源。

该芯片的功能特点突出体现在其高速与宽电压适应性上。其SPI接口支持高达20MHz的时钟频率,能够实现快速的数据读写,显著提升系统在参数存储或配置信息更新时的响应速度。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,使其能够兼容从低功耗设备到标准5V系统的广泛电源环境,增强了设计的灵活性。此外,芯片内置了写保护机制,通过软件指令或硬件写保护引脚(WP)可有效防止存储数据的意外篡改。其页写入能力允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据,配合仅5ms的典型字节/页写入周期,优化了数据存储效率。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取此型号及全面的技术支持。

在接口与关键参数方面,M95020-WMN6TP采用标准的四线制SPI接口(串行时钟SCK、主机输出从机输入MOSI、主机输入从机输出MISO、片选CS),支持模式0(0,0)和模式3(1,1)两种时钟极性/相位配置。其非易失性存储特性保证了在断电情况下数据可保存超过40年,而每个存储单元可承受至少400万次的擦写周期,满足了绝大多数应用对数据持久性和耐用性的要求。芯片采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装(SMT)工艺,便于自动化生产并节省电路板空间。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。

基于上述特性,M95020-WMN6TP非常适合应用于需要可靠、小容量、非易失性参数存储的各类电子系统中。典型应用场景包括但不限于:消费电子产品(如电视、机顶盒、智能家电)的系统配置存储、工业控制设备中的校准参数与事件日志记录、汽车电子模块(如车身控制、传感器模块)的身份标识与状态信息保存,以及医疗设备、智能电表等对数据可靠性要求较高的领域。其小尺寸、低功耗和高可靠性的结合,使其成为嵌入式系统中不可或缺的数据存储解决方案。

  • 型号:M95020-WMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:256 x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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M95020-WMN6TP是ST意法半导体生产的一款2Kbit容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准SPI接口,支持高达20MHz的通信时钟频率,可实现快速的数据访问。其宽电压供电范围(2.5V至5.5V)使其能够灵活适配多种电源系统。

芯片提供256 x 8位的非易失性存储空间,具备至少400万次的擦写周期和超过40年的数据保存期限,确保了数据的长期可靠性与耐用性。采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,适用于要求小尺寸、高可靠性数据存储的各类工业和消费电子应用。

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