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ULQ2003D1013TR的图片

ULQ2003D1013TR

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16-SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,ULQ2003D1013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULQ2003D1013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULQ2003D1013TR是ST意法半导体推出的一款高集成度、高可靠性达林顿晶体管阵列芯片。该器件内部集成了七个独立的NPN达林顿对,每个通道均采用达林顿结构,将两个双极结型晶体管(BJT)以复合方式连接,从而在较低的输入基极电流下实现极高的电流增益。这种架构使得芯片能够直接由微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)或标准逻辑电路(如CMOS、TTL)的低电平输出信号进行驱动,有效简化了系统设计中的接口电路。

该芯片的核心优势在于其卓越的驱动能力和鲁棒性。每个达林顿通道的集电极-发射极击穿电压高达50V,最大连续集电极电流为500mA,能够直接驱动继电器、螺线管、步进电机、白炽灯、LED阵列以及小型直流电机等多种感性或阻性负载。其极高的直流电流增益(hFE最小值1000 @ 350mA, 2V)确保了极低的输入驱动电流需求,典型值仅为500A即可驱动350mA的负载,极大地减轻了前级控制电路的负担。同时,每个输出通道内部都集成了续流二极管,用于在驱动感性负载时抑制关断瞬间产生的反向电动势,为负载和芯片自身提供了关键的保护,无需外部再额外添加二极管,进一步节省了PCB空间和物料成本。

在电气参数方面,ULQ2003D1013TR在饱和状态下表现出较低的压降,典型值为1.6V(在输入电流500A、输出电流350mA条件下),这有助于减少芯片自身的功耗和发热。其工作结温(Tj)最高可达150°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。芯片采用标准的16引脚SOIC封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,便于自动化生产并实现紧凑的电路板布局。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借其多通道、高增益、内置保护的特点,ULQ2003D1013TR广泛应用于工业自动化、汽车电子、办公设备、消费电子及智能家居等领域。典型应用场景包括作为PLC的数字输出模块驱动器、打印机和扫描仪的电机/电磁铁控制、汽车车身控制模块(BCM)中的负载驱动,以及各类需要多路中功率开关控制的嵌入式系统。它有效地在低压数字控制系统与高压/大电流负载之间构建了一座高效、可靠的桥梁。

  • 型号:ULQ2003D1013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:7 NPN 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500A,350mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SO
  • 想获取ULQ2003D1013TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULQ2003D1013TR是ST意法半导体生产的一款七通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16-SOIC表面贴装封装。该器件专为接口驱动和负载开关应用而设计,集成了七个独立的高增益达林顿对,每个通道均可提供高达500mA的连续输出电流和50V的集射极击穿电压。

其关键特性在于极高的电流放大能力,在350mA输出电流下最小直流电流增益(hFE)达到1000,仅需极低的输入电流(典型500A)即可有效驱动负载。每个输出均内置续流二极管,为驱动继电器、螺线管、灯及电机等感性负载提供了必要的瞬态电压保护,简化了外围电路设计。该芯片工作结温高达150°C,具备良好的可靠性,是连接微控制器与各类中功率负载的理想接口解决方案。

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