STF5N52U

STF5N52U是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的UltraFASTmesh系列高压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，其核心架构通过优化的单元设计和制造工艺，实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其525V的漏源电压（Vdss）额定值，使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰，为系统提供了可靠的安全裕量。

在功能特性方面，该器件在25°C外壳温度下可提供4.4A的连续漏极电流。其关键优势在于优异的开关性能，这得益于其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）。在10V驱动电压下，最大栅极电荷仅为16.9nC，这有助于显著降低开关损耗，提升系统在高频工作下的整体效率。同时，其导通电阻（Rds(on)）在2.2A电流、10V栅极电压条件下最大值为1.5欧姆，较低的导通损耗对于提升能效至关重要。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

该MOSFET采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在PCB上实现机械固定和高效散热，其最大功率耗散能力为25W（Tc）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以咨询专业的ST中国代理，以获取关于库存、替代方案或技术支持的详细信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定领域仍有参考和应用价值。

基于其高压、低栅荷和通孔封装的特点，STF5N52U非常适用于需要高效开关和可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机控制驱动以及照明镇流器等应用场景。在这些系统中，它能够有效处理高电压切换，同时通过优化开关和导通损耗，帮助设计者达成严格的能效标准。

• 型号:STF5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF5N52U的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF5N52U是ST意法半导体UltraFASTmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C（Tc）下4.4A的连续漏极电流额定值。

其技术亮点在于优异的动态性能，最大栅极电荷（Qg）低至16.9nC（@10V），配合529pF（@25V）的最大输入电容（Ciss），共同确保了快速开关特性和低开关损耗。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值为1.5欧姆（@2.2A），有助于降低导通状态下的功率耗散，提升系统整体效率。