STGW50HF60SD

STGW50HF60SD是ST意法半导体推出的一款采用TO-247-3封装的高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件集成了快速恢复二极管，构成了一个高效的单管解决方案，专为要求严苛的功率开关应用而设计。其核心架构基于成熟的沟槽栅场截止技术，这项技术通过优化载流子分布，在导通损耗和开关速度之间取得了出色的平衡。得益于这种设计，器件在保持较低饱和压降的同时，能够实现快速的开关转换，这对于提升系统整体效率、降低热损耗至关重要。

该IGBT具备多项突出的功能特性。其额定电压为600V，最大集电极电流可达110A，脉冲电流能力高达130A，展现出强大的功率处理能力。在15V栅极驱动电压、30A集电极电流的典型工作条件下，其集电极-发射极饱和压降最大值仅为1.45V，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低。开关性能方面，其开通延迟时间为50ns，关断延迟时间为220ns，开关能量分别为250J（开通）和4.2mJ（关断），配合67ns的反向恢复时间，确保了在高频开关应用中能够有效降低开关损耗并抑制电压尖峰。此外，其栅极电荷为200nC，有助于简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数上，STGW50HF60SD采用标准电平输入，兼容常见的15V栅极驱动电压，便于集成到现有驱动方案中。其最大功耗为284W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，提供了可靠的工作余量。通孔安装的TO-247封装具有优异的热性能，便于通过散热器进行高效的热管理。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术资料、样品支持与采购信息，以确保设计的顺利推进。

基于其高电压、大电流、低损耗和稳健的封装特性，这款器件非常适合应用于工业电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备以及大功率开关电源等场景。在这些领域中，它能够作为核心开关元件，承担高效的功率转换与调控任务，帮助系统实现高功率密度、高可靠性与高能效的运行目标。

• 型号:STGW50HF60SD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 110A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:110 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:284 W
• 开关能量:250J（导通），4.2mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:200 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/220ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):67 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
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STGW50HF60SD是ST意法半导体生产的一款600V、110A高功率IGBT单管，采用TO-247-3通孔封装。该器件集成了快速恢复二极管，最大功耗为284W，适用于严苛的工业环境。

其核心优势在于优异的电气性能平衡。在15V栅极驱动下，饱和压降典型值低至1.45V @ 30A，有效降低了导通损耗。同时，其具备快速的开关特性（开通/关断延迟为50ns/220ns）与67ns的反向恢复时间，有助于在高频应用中提升效率并减少开关损耗。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。