STD6N95K5

STD6N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列高压功率MOSFET产品。该器件采用先进的N沟道技术构建，其核心架构旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。通过优化的单元设计和制造工艺，它在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该芯片的功能特点突出体现在其高达950V的漏源击穿电压（V_DSS）上，这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等应用中常见的电压尖峰和浪涌，提供了宽裕的设计余量和更高的系统可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为1.25欧姆，较低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，栅极电荷（Q_g）典型值低至13nC，结合450pF的输入电容（C_iss），意味着开关过程中所需的驱动能量更小，这不仅简化了驱动电路设计，还有助于实现更高频率的开关操作，从而减小系统中磁性元件的体积。

在接口与关键参数方面，STD6N95K5采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达9A，最大允许栅源电压（V_GS）为±30V，提供了稳定的驱动安全范围。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），并支持高达90W的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性，STD6N95K5非常适用于需要高效率和高压能力的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路以及LED照明驱动器的理想选择。在工业电机驱动、电焊机、不间断电源（UPS）等对功率密度和可靠性要求较高的系统中，该器件也能发挥关键作用，帮助设计工程师实现更紧凑、更高效和更稳健的电源解决方案。

• 型号:STD6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD6N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值，结合优化的技术实现了低导通电阻（典型1.25Ω @ 10V, 3A）与低栅极电荷（典型13nC @ 10V），这共同确保了在高电压开关应用中兼具出色的电气隔离能力和高效的开关性能。

其参数设计针对高可靠性应用，在壳温条件下支持9A的连续漏极电流和90W的最大功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为适用于工业级开关电源、PFC电路及LED驱动等高压、高效率功率转换场景的可靠解决方案。