VNV28N04TR-E

VNV28N04TR-E是ST意法半导体基于其先进的VIPower和OMNIFET技术平台开发的一款高性能、高集成度智能功率开关。该器件采用单片集成设计，将一颗逻辑控制单元、驱动电路以及一个坚固的功率级N沟道MOSFET整合在紧凑的10-PowerSO封装内，实现了从微控制器逻辑电平到高功率负载的直接、高效驱动。这种架构省去了传统分立方案中所需的外部栅极驱动和保护电路，显著简化了系统设计，提升了整体可靠性。

作为一款智能负载驱动器，其核心功能在于提供强大的单通道、低端开关能力。它支持高达31V的最大负载电压和19A的持续输出电流，同时具备极低的导通损耗，其典型导通电阻仅为35毫欧。该器件采用非反相的开/关逻辑接口，控制逻辑简单直观，可直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电源电压（Vcc/Vdd），进一步简化了外围电路。其内置的全面故障保护机制是其关键优势，集成了固定限流、过温关断和过压钳位功能，能够有效保护开关本身以及后端负载免受短路、过载和异常电压条件的损害，确保了系统在严苛环境下的鲁棒性。

在电气参数方面，VNV28N04TR-E展现了卓越的性能。其宽泛的工作结温范围覆盖-40°C至150°C，使其能够适应工业、汽车等对温度要求苛刻的应用场景。表面贴装的10-PowerSO封装提供了良好的散热性能和功率处理能力，卷带（TR）包装则适用于自动化贴片生产，提高了制造效率。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应保障。

得益于其高电流驱动能力、集成保护和易于使用的特性，这款器件非常适合于需要可靠控制大功率阻性、感性和容性负载的应用。典型应用场景包括工业自动化中的电磁阀、电机和加热器驱动，汽车电子中的车身控制模块（如驱动座椅调节电机、车窗升降器、照明负载），以及电源分配系统中的智能熔断器或热插拔控制。它为工程师提供了一种将控制逻辑与功率执行无缝连接的可靠、高效的解决方案。

• 型号:VNV28N04TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:31V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:19A
• 导通电阻（典型值）:35 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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VNV28N04TR-E是ST意法半导体推出的一款集成式智能功率开关，隶属于OMNIFET和VIPower产品系列。该器件采用单通道、低端N沟道输出配置，集成了功率MOSFET、驱动及完整的保护功能于10-PowerSO封装内，提供了一种高度简化的大电流负载驱动方案。

其核心参数表现突出，支持最大31V负载电压与高达19A的持续输出电流，同时典型导通电阻低至35毫欧，有效降低了导通损耗。器件内置固定限流、过温及过压保护，确保了驱动过程的安全性与可靠性。其接口为简单的非反相开/关控制，无需独立供电电压（Vcc/Vdd），可直接由微处理器逻辑电平驱动，极大简化了系统设计。