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BUL416

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 800V 6A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,BUL416的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUL416的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体旗下的一款经典高压双极型晶体管,BUL416采用了成熟的NPN硅外延平面工艺制造。其核心架构设计旨在实现高耐压与强电流驱动能力的平衡,内部结构经过优化以降低饱和压降,确保在高压开关状态下仍能保持较高的能量转换效率。该器件采用坚固的TO-220-3通孔封装,具有良好的机械强度和散热性能,便于安装在散热器上以应对高功率应用下的热管理需求。

在功能特性上,这款晶体管最突出的优势在于其高达800V的集电极-发射极击穿电压,这使其能够从容应对工业电源、离线式开关电源中常见的电网电压波动和感性负载关断时产生的电压尖峰。同时,6A的连续集电极电流能力赋予了它驱动较大负载的潜力。其饱和压降在典型工作条件下(如1.33A基极电流驱动4A集电极电流时)最大仅为3V,这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提升系统整体效率并减少发热。对于需要可靠高压开关方案的工程师而言,通过正规的ST中国代理渠道获取此型号,是确保元器件质量和供货追溯性的重要途径。

从电气参数来看,BUL416在700mA集电极电流、5V集电极-发射极电压下的最小直流电流增益(hFE)为12,这表明它需要适当的基极驱动电流来实现完全饱和,在设计驱动电路时需予以考虑。其集电极截止电流最大值为250A,展现了良好的关断特性。最大结温(TJ)为150°C,结合110W的最大功耗额定值,为系统热设计提供了明确边界。尽管该器件未标注明确的过渡频率参数,但其设计重点明确指向中低速的高压开关与线性放大应用,而非射频领域。

基于其高压、中电流和强鲁棒性的特点,BUL416非常适合应用于对成本敏感且环境要求严苛的领域。典型的应用场景包括CRT显示器与电视的行输出电路、离线式开关电源(SMPS)中的高压侧开关、电子镇流器、电机控制驱动以及UPS(不间断电源)系统中的功率转换部分。在这些应用中,它常扮演着关键的主开关或缓冲器角色,其稳定的性能有助于保障整个电力电子系统的长期可靠运行。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新项目设计时需评估替代方案或库存供应情况。

  • 型号:BUL416
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 800V 6A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):800 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 1.33A,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):12 @ 700mA,5V
  • 功率 - 最大值:110 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取BUL416的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUL416是STMicroelectronics推出的一款NPN型高压双极性晶体管(BJT),采用标准的TO-220-3通孔封装。其核心电气参数定义了它在高压功率开关领域的适用性:800V的集电极-发射极击穿电压确保了其在恶劣的电压环境下具备高可靠性,而6A的最大集电极电流则提供了可观的负载驱动能力。

该器件在导通特性上表现平衡,在4A集电极电流条件下,最大饱和压降仅为3V,有助于降低导通损耗。其最小直流电流增益(hFE)为12 @ 700mA, 5V,结合110W的最大功耗和150°C的最高结温,使其能够胜任要求严苛的功率开关与线性放大任务。这些参数共同构成了BUL416作为一款经典高压开关管的核心价值。

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