BULB128-1

BULB128-1是ST意法半导体推出的一款高压、大电流NPN双极性晶体管（BJT），采用坚固的IPAK（TO-262）封装。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在提供高耐压和强电流驱动能力之间的可靠平衡。集电极-发射极击穿电压高达400V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场景中的高压瞬态和反峰电压，确保了系统在恶劣电气环境下的长期稳定性。

在功能特性上，该晶体管展现出强大的功率处理能力，最大集电极电流可达4A，最大功耗为70W。其饱和压降在典型工作条件下表现优异，例如在1A和4A电流下，Vce(sat)最大值仅为500mV，这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。直流电流增益（hFE）在2A、5V条件下最小值为14，提供了稳定的电流放大特性，适合用于线性放大或开关应用中的驱动级。高结温（Tj）额定值150°C进一步拓宽了其工作温度范围，增强了环境适应性。

器件采用标准的三引脚通孔安装形式，封装为TO-262-3（IPAK），这种封装具有良好的机械强度和散热性能，便于通过散热片进行热管理。其电气参数还包括集电极截止电流最大250A，体现了在关断状态下的低泄漏特性。对于需要可靠高压开关或线性放大的设计，BULB128-1提供了一个经过验证的解决方案。用户可通过官方授权的ST一级代理获取详细的技术支持与供应链服务。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和参数组合使其在特定的存量市场或对长期可靠性要求极高的领域仍有应用价值。典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的功率开关、电子镇流器、电机控制驱动器中的功率输出级，以及各类工业设备中的通用高压开关和放大器电路。在这些应用中，其400V/4A的耐压与电流规格、低饱和压降以及70W的功率处理能力构成了其核心价值，为工程师提供了一个坚固、高效的功率半导体选择。

• 型号:BULB128-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 4A TO-262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 1A，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:14 @ 2A，5V
• 功率 - 最大值:70 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 供应商器件封装:TO-262
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BULB128-1是ST意法半导体生产的一款高压大功率NPN双极性晶体管。其核心规格包括400V的集射极击穿电压和4A的最大集电极电流，能够胜任高压环境下的功率开关与放大任务。

该器件在70W的最大功耗下，提供了低至500mV的饱和压降（@1A,4A），有效降低了导通损耗。其采用TO-262（IPAK）通孔封装，具备良好的散热能力，并支持高达150°C的结温工作，确保了在严苛工况下的可靠性。