STB28N60M2

STB28N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺改进，显著降低了栅极电荷（Q_G）和输出电容（C_OSS），这直接转化为更低的开关损耗和更高的整体能效，特别适合在高频开关应用中运行。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和在壳温（T_C）25°C下22A的连续漏极电流能力，提供了坚固的电压阻断和电流处理性能。其导通电阻在10V栅源电压（V_GS）、11A漏极电流条件下典型值仅为150毫欧，确保了在导通状态下的功耗最小化。同时，最大栅极电荷（Q_g）低至36nC（@10V），这一特性大幅降低了驱动电路的负担和开关损耗，使得开关频率可以进一步提升。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了在苛刻环境下的可靠性。

在接口与参数方面，STB28N60M2采用标准的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，这种封装具有良好的散热能力和机械强度，便于自动化生产装配。其最大功耗可达170W（T_C），结合优化的热特性，能够有效管理功率耗散。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品，确保元器件的正宗来源与供货稳定。

得益于其高电压、低损耗和高开关频率的特性组合，STB28N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器和直流-直流转换器。此外，它在电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业照明等领域的功率开关电路中也能发挥核心作用，是实现紧凑、高效能电力电子系统的关键组件之一。

• 型号:STB28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB28N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压高效应用，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温25°C下达22A的连续漏极电流（I_D）。

其技术优势体现在优异的动态性能与低损耗上，典型导通电阻（R_DS(on)）为150毫欧（@10V， 11A），同时最大栅极电荷（Q_g）仅为36nC，这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功耗170W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了可靠的功率处理能力和环境适应性。