BULD118D-1

BULD118D-1是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管，采用成熟的平面工艺制造，其核心架构旨在实现高电压下的可靠开关与线性放大。器件内部集成了优化的基极-发射极和集电极-发射极结构，确保了在高达400V的集射极电压下，仍能维持稳定的载流子输运特性，这使其在高压离线式应用中成为关键驱动或开关元件。

该晶体管的功能特点突出体现在其高耐压与强电流驱动能力的平衡上。其集电极电流额定值高达2A，同时集电极-发射极饱和压降在典型工作条件下（如400mA基极电流、2A集电极电流时）被控制在1.5V以下，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其直流电流增益（hFE）在500mA集电极电流和5V集射极电压条件下最小值为10，提供了足够的驱动能力，简化了前级驱动电路的设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

在接口与关键参数方面，BULD118D-1采用标准的TO-251（IPAK）通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于在PCB板上安装并与散热器结合。其最大功耗为20W，结合高达150°C的结温（TJ）额定值，赋予了器件在恶劣热环境下稳定工作的鲁棒性。集电极截止电流最大值为250A，体现了其在关断状态下的低泄漏特性，有助于降低待机功耗。这些参数共同定义了一个适用于高压、中功率场景的坚固开关解决方案。

基于其技术规格，BULD118D-1非常适合一系列要求严苛的应用场景。它常被用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动以及工业照明系统的功率转换级。在这些应用中，器件的高击穿电压确保了应对线路电压波动和感性负载反峰电压的安全性，而其良好的开关特性与通态性能则直接关系到系统效率与可靠性，是工程师设计高压功率处理电路时的可靠选择。

• 型号:BULD118D-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 2A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 400mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 500mA，5V
• 功率 - 最大值:20 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 想获取BULD118D-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BULD118D-1是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性功率晶体管，专为高压开关和放大应用而设计。其核心卖点在于400V的高集射极击穿电压与2A的连续集电极电流能力的出色结合，能够在苛刻的功率条件下稳定工作。

器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，最大功耗为20W，并支持高达150°C的结温。其饱和压降低至1.5V（@400mA, 2A），有助于减少导通损耗，而250A的低集电极截止电流则优化了关断状态下的功耗表现。这些特性使其成为离线式电源、电机控制和工业功率管理等中高压应用中的理想开关元件。