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BYV541V-200的图片

BYV541V-200

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE MODULE GP 200V 50A ISOTOP
原厂封装:封装:ISOTOP
优势价格,BYV541V-200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BYV541V-200的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BYV541V-200是ST意法半导体推出的一款高性能双二极管模块,采用ISOTOP封装和底座安装方式,专为高功率密度和高效能整流应用而设计。该器件集成了两个独立的快速恢复标准二极管,每个二极管在150°C最大结温下,能够承受高达200V的最大直流反向电压,并支持50A的平均整流电流。其核心架构基于优化的半导体工艺,实现了低正向压降与快速开关特性的平衡,为功率转换系统提供了可靠的半导体解决方案。

该模块的电气性能表现突出,在50A的额定电流下,正向压降仅为850mV,这有助于显著降低导通损耗,提升系统整体效率。其反向恢复时间(trr)典型值为60ns,属于快速恢复二极管范畴,能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和振荡,减少开关损耗和电磁干扰。此外,在200V反向电压下,反向泄漏电流低至50A,体现了出色的阻断能力和高温下的稳定性。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过专业的ST代理商获取详细的技术支持和库存信息。

在接口与参数方面,BYV541V-200采用坚固的ISOTOP模块封装,具有良好的热性能和机械强度,便于安装在散热器上,确保在大电流工作条件下结温得到有效控制。其快速恢复特性(≤500ns)使其能够胜任频率较高的开关场景。尽管该产品目前已处于停产状态,但其技术参数在当时及后续的许多应用中仍具有参考价值,适用于对效率和可靠性有严格要求的工业级设计。

典型的应用场景包括工业电机驱动、不同断电源(UPS)、焊接设备和开关模式电源(SMPS)中的输出整流、续流或缓冲电路。其高电流处理能力和快速恢复特性,使其特别适合在桥式整流配置或作为逆变器中的续流二极管使用,能够有效管理感性负载切换时产生的反向能量,保护主开关管并提升电能转换效率。

  • 型号:BYV541V-200
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE MODULE GP 200V 50A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:2 个独立式
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):50A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 50 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):60 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 200 V
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • 想获取BYV541V-200的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BYV541V-200是ST意法半导体生产的一款底座安装型双二极管模块,属于二极管-整流器-阵列系列。该模块集成了两个独立的快速恢复标准二极管,每个二极管的核心电气参数为:最大反向电压200V,平均整流电流50A,在额定电流下的正向压降低至850mV。

其关键性能优势在于快速开关能力,反向恢复时间仅为60ns,并具有低至50A@200V的反向泄漏电流。这些特性使其能够有效降低导通与开关损耗,并抑制高频开关噪声。结合ISOTOP封装带来的优良散热性,该器件适用于要求高效率和高可靠性的功率整流与续流应用。

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