BZW04-23B

作为ST意法半导体TRANSIL系列中的一员，BZW04-23B是一款设计用于瞬态电压抑制的TVS二极管。该器件采用经典的齐纳二极管结构，其核心工作原理基于半导体PN结的雪崩击穿效应。当施加在其两端的反向电压超过特定的击穿阈值时，器件会迅速从高阻态切换到低阻态，从而将过电压能量旁路至地，为下游精密电路提供可靠的保护屏障。其轴向引线的DO-15封装，确保了在通孔安装应用中的机械稳固性和散热能力。

该器件的关键特性在于其精确的电压保护参数。其典型反向断态电压为23.1V，最小击穿电压为25.7V，这为工作在24V左右电压轨的电路提供了明确的安全裕度。在承受标准10/1000s波形、峰值高达10.7A的瞬态电流冲击时，它能将电压箝位在最大值37.5V以内，有效抑制尖峰电压。其400W的峰值脉冲功率处理能力，使其能够吸收可观的瞬态能量，防止敏感元器件受损。值得注意的是，其电容值在1MHz频率下为312.5pF，这一特性需要在高速信号线路的应用中予以考虑，以避免对信号完整性造成影响。

在接口与参数方面，BZW04-23B是一款双向TVS二极管，这意味着它可以对正负两个方向的瞬态过压都提供保护，简化了在交流或可能产生反向浪涌的直流电路中的设计。其轴向封装形式兼容标准的通孔焊接工艺，便于集成到各种PCB设计中。虽然该器件目前已处于停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，部分应用仍可获得库存支持或替代方案咨询。

凭借其通用型的保护特性，BZW04-23B适用于多种需要过压保护的场景。它常被部署在电源输入端口、通信线路接口以及工业控制设备的I/O端口，用于抵御由雷击感应、静电放电（ESD）、负载切换等引起的瞬态电压浪涌。例如，在24V工业传感器、电源适配器次级侧保护或车载电子设备中，它都能作为一道经济有效的防线，提升整个系统的可靠性与鲁棒性。

• 型号:BZW04-23B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-204AC（DO-15）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 23.1VWM 37.5V DO204AC
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:23.1V
• 电压 - 击穿（最小值）:25.7V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:37.5V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):10.7A
• 功率 - 峰值脉冲:400W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:312.5pF @ 1MHz
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向
• 供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）
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BZW04-23B是ST意法半导体推出的一款通用型双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，隶属于TRANSIL产品系列。该器件设计用于箝制有害的电压瞬变，为核心电压约24V的电路提供保护。

其核心参数定义了可靠的保护性能：典型反向断态电压23.1V，确保在正常工作时处于关断状态；当遭遇浪涌时，它能将电压箝位在最高37.5V，同时可承受10.7A的峰值脉冲电流和400W的峰值脉冲功率，有效吸收并消散瞬态能量。器件采用标准的DO-15轴向封装，适用于通孔安装。