STD4NK100Z

STD4NK100Z是ST意法半导体推出的一款面向汽车级应用的高压N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件基于先进的SuperMESH技术平台构建，这一架构通过优化单元结构和工艺，在维持高阻断电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而实现了更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

其核心特性在于高达1000V的漏源击穿电压（Vdss）与2.2A的连续漏极电流（Id）能力，结合6.8Ω（典型值）的低导通电阻（Rds(on)），使其在高压下仍能保持优异的导通性能。栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了系统的鲁棒性。此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为18nC，配合较低的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，简化驱动电路设计。

在电气参数方面，该器件在-55°C至150°C的宽结温（Tj）范围内保证稳定工作，最大功耗可达90W（Tc），满足严苛环境下的可靠性要求。其符合AEC-Q101标准，专为汽车电子应用而设计，确保了在振动、温度循环等恶劣条件下的长期耐久性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

STD4NK100Z非常适合应用于需要高压开关和高效能转换的场景。典型应用包括汽车领域的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的高压侧开关，以及工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧和照明镇流器。其高耐压和汽车级品质，使其成为对可靠性、效率及空间有严格要求的高压功率管理设计的理想选择。

• 型号:STD4NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4NK100Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）和2.2A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至6.8Ω，有助于减少传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）低至18nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性和稳定性。