STW32N65M5

STW32N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和先进的工艺技术，在650V的漏源击穿电压（Vdss）与极低的导通电阻（Rds(on)）之间实现了出色的平衡，有效降低了传导损耗，提升了系统整体能效。

在功能特性上，该MOSFET展现了MDmesh V系列的典型优势。其在10V驱动电压、12A电流条件下的导通电阻典型值仅为119毫欧，这确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，器件具有高达24A的连续漏极电流（Id）承载能力（基于壳温Tc），并支持150°C的最高结温（TJ），提供了宽裕的热设计余量和可靠的运行鲁棒性。其栅极电荷（Qg）典型值在10V条件下为72nC，结合3320pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并优化驱动电路的设计，这对于高频开关电源应用至关重要。用户在选择时，可通过正规的ST芯片代理获取详细的技术支持和供货信息。

从接口与电气参数来看，器件采用标准的三引脚TO-247封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±25V的Vgs电压，增强了抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为5V（在250A条件下），提供了良好的噪声抑制特性。最大功率耗散能力为150W（Tc），使其能够应对严苛的功率处理需求。这些参数共同定义了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

鉴于其高耐压、低导通电阻和高电流处理能力，STW32N65M5非常适用于要求严苛的工业级和消费类电源应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电机驱动和焊接设备中的功率级设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术理念和性能指标，对于理解高压MOSFET的选型与替代仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW32N65M5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW32N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至119毫欧的导通电阻（Rds(on)）（条件：10V， 12A），这显著降低了导通损耗，提升了功率转换效率。

器件在25°C壳温下可支持高达24A的连续漏极电流，最大结温为150°C，确保了在高温环境下的稳定运行能力。其72nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关特性，适用于高频开关应用。这些参数使其成为工业电源、UPS、光伏逆变器等高压、高功率密度设计的理想功率开关选择。