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BZW04-33B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO204AC
原厂封装:封装:DO-204AC(DO-15)
优势价格,BZW04-33B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW04-33B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW04-33B是ST意法半导体推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的轴向DO-15封装,专为保护敏感电子线路免受瞬态过电压事件(如静电放电、感性负载切换和雷击感应浪涌)而设计。其核心基于成熟的齐纳击穿原理,构建了一个双向的单通道保护架构,能够对正负两个方向的瞬态过压进行有效箝位,确保被保护电路两端的电压被限制在一个安全的预设范围内,从而防止元器件因电压尖峰而损坏。

该器件的关键电气特性使其在通用保护应用中表现出色。其反向断态电压(VRWM)典型值为33.3V,确保在电路正常工作时呈现高阻抗状态,对系统影响极小。当瞬态电压超过其最小击穿电压(VBR min)37.1V时,器件迅速进入低阻抗的雪崩击穿状态,在承受7.4A(10/1000s波形)的峰值脉冲电流时,能将箝位电压(VC)最大值有效控制在53.9V以内,其峰值脉冲功率处理能力高达400W。此外,其典型结电容在1MHz频率下为225pF,这一特性使其适用于对信号完整性有一定要求的中低速数据或电源线路的保护,避免因保护器件引入过大电容而导致信号失真。

在接口与参数方面,BZW04-33B采用通孔安装的DO-15轴向封装,便于在PCB板上进行可靠的焊接和固定。其设计参数明确,包括从反向断态电压到击穿电压再到箝位电压的完整保护阈值,为电路设计工程师提供了清晰的保护窗口。值得注意的是,该器件目前处于停产状态,在为新设计选型时需考虑替代方案或库存供应,但现有存量产品仍可满足许多维护和既有项目的需求。用户可通过ST授权代理获取关于该产品的进一步技术资料、库存信息或符合当前生产状态的升级替代型号建议。

得益于其稳健的过压保护能力和通用性,BZW04-33B广泛应用于需要33V左右工作电压的各类电子设备的电源输入端口、通信接口、I/O线路以及直流电机驱动电路等场景。它能有效吸收来自外部或内部的瞬态能量,为后级的集成电路、MOSFET、传感器等关键元器件提供一道可靠的防护屏障,提升整个系统的可靠性和电磁兼容性(EMC)表现。

  • 型号:BZW04-33B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-204AC(DO-15)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO204AC
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):33.3V
  • 电压 - 击穿(最小值):37.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):53.9V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):7.4A
  • 功率 - 峰值脉冲:400W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:225pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15)
  • 想获取BZW04-33B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW04-33B是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款400W峰值功率双向TVS二极管。该器件设计用于箝制瞬态过电压,其核心特性包括33.3V的反向断态电压、37.1V的最小击穿电压,以及在7.4A峰值脉冲电流下最大53.9V的箝位电压,为33V级电路提供了明确的过压保护阈值。

其采用标准的DO-15轴向封装,便于通孔安装。225pF @ 1MHz的典型结电容使其适用于通用型电源及中低速信号线路的保护。作为一款已停产器件,它适用于既有系统的维护或对现有库存有需求的通用过压保护应用场景。

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