STX112

STX112是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿晶体管，采用经典的TO-92通孔封装。其核心架构基于达林顿对管设计，将两个NPN晶体管以复合形式连接，这种结构显著放大了电流增益，使其能够以极小的基极驱动电流控制较大的集电极负载电流，非常适合作为高增益的电流驱动器或开关使用。

该器件集电极-发射极击穿电压高达100V，最大集电极电流为2A，这使其具备了良好的电压耐受能力和一定的电流处理能力。高达1000（最小值@1A，4V）的直流电流增益(hFE)是其最突出的功能特点，这意味着在1A的集电极电流下，仅需约1mA的基极电流即可实现有效驱动，极大地简化了前级驱动电路的设计，降低了对控制信号电流的要求。其饱和压降在2A电流、8mA基极电流条件下典型值为2.5V，在达林顿管中属于可接受范围，确保了在开关应用中的效率。器件最大功耗为1.2W，结合高达150°C的结温，提供了可靠的热性能裕量。

在接口与参数方面，STX112采用标准的三引脚TO-92封装，引脚排列兼容通用器件，便于在现有电路板上进行替换或升级。其集电极截止电流最大为2mA，这一参数对于关断状态下的功耗控制至关重要。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能在存量市场和特定应用中仍有需求，用户可通过ST中国代理等正规渠道咨询库存或替代方案信息。

得益于高增益、中压大电流的特性，STX112非常适用于需要高电流增益的线性放大或开关控制场景。典型应用包括继电器、电磁阀、小型电机等感性负载的驱动，LED灯带的恒流驱动，以及音频功率放大器的前置驱动级。在电源管理电路中，它也可用于线性稳压器的调整管或过载保护电路。其通孔封装形式使其在工业控制、家电、汽车电子（非核心区域）等对可靠性要求较高、且便于手工焊接或维修的领域曾得到广泛应用。

• 型号:STX112
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 8mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 1A，4V
• 功率 - 最大值:1.2 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 供应商器件封装:TO-92-3
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STX112是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿晶体管，采用TO-92通孔封装。其核心优势在于极高的电流放大能力，直流电流增益(hFE)最小值达1000（@1A，4V），能够以极小的基极输入电流控制高达2A的集电极负载电流，显著简化驱动电路设计。

该器件具备100V的集射极击穿电压和2.5V的典型饱和压降（@2A），平衡了耐压能力与开关效率。最大功耗1.2W，结温可达150°C，确保了在多种环境下的稳定工作。这款高增益、中功率的晶体管非常适合用于驱动继电器、电机、LED阵列等需要大电流开关或放大的场合。