STP26N60DM6

STP26N60DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于DM6代超级结技术，通过精密的电荷平衡和单元结构优化，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线及开关电压应力。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达18A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下，最大值仅为195毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为24nC（@10V），结合940pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并提升开关速度，降低开关损耗。

在接口与可靠性方面，STP26N60DM6采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为130W（Tc）。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，具备良好的噪声抑制能力。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高性能与高可靠性，STP26N60DM6非常适用于要求严苛的功率电子领域。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）、电焊机以及照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体方案的功率密度与可靠性。

• 型号:STP26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP26N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和18A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在MDmesh DM6超级结技术带来的优异性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至195毫欧（@9A），显著降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为24nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同指向更高的系统效率和功率密度。

该器件设计稳健，栅源电压可承受±25V，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于工业电源、电机驱动、UPS等对效率和可靠性要求较高的功率转换场景。