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BZW50-100的图片

BZW50-100

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 100VWM 228VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-100的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-100是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构。该器件设计用于在极短时间内(纳秒级)响应并吸收来自电源线、数据线或信号线上的高能瞬态过电压脉冲,例如由雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)引起的浪涌,从而为下游精密电子电路提供可靠的保护屏障。其内部结构经过优化,能够确保在承受高能量冲击时,箝位电压保持相对稳定,避免被保护器件承受超过其耐受范围的电压应力。

该TVS二极管的核心功能特性突出其强大的浪涌处理能力。其峰值脉冲功率高达5000W(5kW),在标准的8/20s浪涌测试波形下,能够承受高达263A的峰值脉冲电流,这使其能够应对严苛的工业环境或户外设备中可能出现的强浪涌事件。其反向断态电压为100V,确保在电路正常工作时呈现高阻抗状态,对系统影响极小。当瞬态电压超过其最小击穿电压(111V)时,器件迅速动作,将电压箝位在最大值228V以下,有效限制过压峰值。值得注意的是,作为一款通用型保护器件,它不专门针对特定电源线路(如Mains)优化,但其广泛的适用性使其成为众多电子系统前端保护的常见选择。对于需要可靠ST芯片解决方案的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术支持和供应链服务。

在电气参数与物理接口方面,BZW50-100采用标准的R-6轴向引线封装,便于通孔安装(THT),具有良好的机械强度和散热特性。其典型电容值在1MHz频率下为2300pF,这一参数对于高速数据线路的保护选型是需要考虑的因素,可能更适合对信号带宽要求不极致的电源端口或低频信号线路。其单向通道设计意味着它专门用于保护极性确定的直流线路或需要明确电压参考点的应用场景。制造商将其归类为“通用”应用,凸显了其设计的广泛适应性。

基于其高功率处理能力和100V的工作电压等级,BZW50-100非常适合部署在需要 robust 过压保护的各类工业控制设备、通信基础设施的辅助电源端口、汽车电子系统中的非安全相关模块(需注意工作温度范围未指定)、以及消费类电子产品的AC-DC电源适配器次级侧或直流输入端口。它常被用作电路板入口处的第一级或第二级保护元件,与保险丝、压敏电阻等器件构成多级防护网络,共同提升整个电子系统的可靠性与抗浪涌能力,满足相关电磁兼容(EMC)标准的要求。

  • 型号:BZW50-100
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 100VWM 228VC R6
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):100V
  • 电压 - 击穿(最小值):111V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):228V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):263A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:2300pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-100的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-100是ST意法半导体生产的一款大功率瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其TRANSIL产品系列。该器件采用单向齐纳结构,专为吸收和箝位高能量瞬态浪涌而设计。

其核心性能参数包括100V的反向断态电压、高达5000W(5kW)的峰值脉冲功率以及263A(8/20s)的峰值脉冲电流承受能力,确保在发生严重过压事件时能将电压有效限制在228V以下。采用R-6轴向通孔封装,适用于需要对直流线路或极性明确的信号线路进行 robust 过压保护的通用型工业与电子设备应用。

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