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BZW50-15RL的图片

BZW50-15RL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 15VWM 35VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-15RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-15RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-15RL是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的BZW50系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用经典的轴向引线通孔封装(R6),其核心架构基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理,通过精心设计的半导体结,在遭遇超过其反向断态电压的瞬态高压时,能够迅速从高阻态切换到低阻态,从而为下游敏感电路提供一个可靠的低阻抗泄放通道,将过电压能量快速吸收并箝位至安全水平。

该器件具备出色的浪涌保护能力,其核心功能特点在于能够承受高达1714A(8/20s波形)或1.714kA(10/1000s波形)的峰值脉冲电流,对应的峰值脉冲功率高达5000W(5kW)。这一特性使其能够有效抵御由雷击、感性负载切换或静电放电(ESD)引起的剧烈能量冲击。其反向断态电压(典型值)为15V,最小击穿电压为16.6V,确保了在正常工作电压下的高阻抗和低漏电流。当瞬态事件发生时,它能将电压箝位在最高35V的水平,为被保护电路提供了一个明确的安全电压上限。其通用型设计使其适用于广泛的电路保护场景,尤其适合保护工作电压在12V至15V区间的电源总线或信号线路。

在电气参数方面,除了强大的浪涌处理能力,该器件在1MHz频率下的典型电容值为13500pF。这一电容值对于高频信号线路的保护应用是需要考量的因素,但在多数电源端口或低频数据线路的保护中,其影响在可接受范围内。其封装形式为标准的轴向R6,便于在通孔PCB板上进行安装和焊接,提供了良好的机械稳固性和散热路径。作为一款有源且在产的成熟产品,其可靠性和供货稳定性得到了市场的长期验证。用户可以通过ST授权代理渠道获取原装正品,确保设计的一致性和长期可靠性。

在应用场景上,BZW50-15RL凭借其高功率处理能力和15V的典型工作电压,非常适合用于汽车电子系统中的12V电源网络保护,如ECU、传感器模块的电源入口;工业控制领域中的24V直流电源总线防护;以及通信设备、消费电子产品中直流电源适配器输出端或接口的浪涌抑制。它能够为这些应用中的微处理器、存储器、接口芯片等关键元器件,构筑起一道应对意外电压瞬变的有效防线,提升整个系统的电磁兼容性(EMC)和鲁棒性。

  • 型号:BZW50-15RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 15VWM 35VC R6
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):15V
  • 电压 - 击穿(最小值):16.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):35V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1714A(1.714kA)(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:13500pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-15RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-15RL是ST意法半导体生产的一款单向、齐纳型瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于BZW50系列TRANSIL产品线。该器件设计用于为工作电压在15V(典型值)左右的电路提供高效的过压保护。

其核心性能体现在强大的浪涌吸收能力上,可承受高达1714A(8/20s)的峰值脉冲电流和5000W的峰值脉冲功率。在遭遇瞬态高压冲击时,它能迅速响应,将电压箝位在最高35V的安全水平,从而有效保护后级敏感电子元件。该器件采用通孔安装的R6轴向封装,适用于通用型的电源端口和信号线路保护应用。

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