STL19N60M6

STL19N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，能够可靠地工作在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达11A，展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压（V_GS）和6.5A漏极电流条件下，典型值仅为308毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极总电荷（Q_g）最大值控制在16.8nC（@10V），结合650pF的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提高系统的工作频率。

在物理封装与接口方面，STL19N60M6采用了表面贴装型的PowerFlat HV（8x8）封装。这种封装具有紧凑的占板面积和优异的热性能，其底部的裸露焊盘（Exposed Pad）为散热提供了低热阻路径，有助于将芯片产生的热量高效地传导至PCB，支持高达90W（Tc）的功率耗散。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，增强了应用的鲁棒性。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，提供了良好的噪声抑制能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，该器件非常适合应用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取该产品及其详细的技术支持，以确保设计的合规性与供应链的稳定性。

• 型号:STL19N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:308毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL19N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其设计重点在于优化功率损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至308毫欧（@6.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为16.8nC，这共同实现了优异的导通效率与快速的开关性能。器件采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，支持90W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度和恶劣环境下的可靠运行。