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BZW50-180RL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-180RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-180RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-180RL是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的BZW50系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用成熟的轴向引线R-6封装,其核心设计基于优化的齐纳二极管雪崩击穿原理,内部集成了高性能的硅半导体结,旨在为电子线路提供快速、可靠的过电压保护。其架构经过精心设计,能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰,并通过将过电压钳位至安全水平来吸收巨大的脉冲能量,从而防止下游敏感元器件受损。

该器件的一个关键特性是其出色的浪涌处理能力,峰值脉冲功率高达5000W(5kW),这使其能够承受严苛的工业环境或雷击感应浪涌。其反向断态电压(VRWM)为180V,最小击穿电压(VBR)为200V,在经受高能量瞬态事件时,其最大钳位电压(VC)被严格限制在410V,为被保护电路提供了一个明确的安全电压上限。配合高达146A(8/20s波形)的峰值脉冲电流处理能力,BZW50-180RL能够有效抑制由感性负载切换、静电放电(ESD)或其它原因产生的破坏性电压瞬变。

在电气参数方面,该TVS二极管为单向保护类型,适用于直流或具有明确极性的电路保护场景。其典型电容值为1500pF @ 1MHz,这一特性使其在数据线或高频信号线路的应用中需要被仔细评估,以避免对信号完整性造成影响。作为一款通用型保护器件,它广泛应用于电源总线、I/O端口以及各种需要过压保护的电子模块中。其通孔安装的轴向封装形式,便于在PCB板上进行可靠的焊接和固定,适合在要求高机械稳定性的场合使用。

BZW50-180RL典型的应用场景包括工业控制系统、电源适配器、通信设备以及汽车电子中的辅助电路保护。在这些领域中,它常被部署在电源输入端或信号接口处,作为第二级或次级保护元件,与保险丝或压敏电阻等初级保护器件协同工作,构建起多级、可靠的电路保护方案。对于需要获取该器件样品、技术资料或批量采购的工程师,可以通过授权的ST代理商渠道,以确保获得原装正品和全面的技术支持。

  • 型号:BZW50-180RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):180V
  • 电压 - 击穿(最小值):200V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):410V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):146A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1500pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-180RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-180RL是ST意法半导体生产的一款高性能单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于BZW50系列TRANSIL产品线。该器件设计用于在纳秒级时间内响应并抑制危险的电压瞬变和浪涌,为核心电路提供可靠的保护。

其核心电气参数定义了强大的保护性能:具备180V的反向工作电压和200V的最小击穿电压,能将高达146A(8/20s)的峰值脉冲电流产生的过电压钳位在最大410V的安全水平。同时,其高达5000W的峰值脉冲功率处理能力,使其能够吸收并耗散极大的瞬态能量,适用于要求苛刻的工业与通用电子保护应用。

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