STP3NK60Z

ST意法半导体推出的STP3NK60Z是一款采用SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现高压应用中的高效率与高可靠性。该技术通过优化的单元结构和工艺，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的传统折衷关系，从而在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的开关性能与导通损耗控制。其设计充分考虑了高压环境下的雪崩耐量与动态特性，为开关电源等应用提供了坚实的硬件基础。

该器件在功能上表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.2A漏极电流条件下典型值仅为3.6欧姆，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至11.8nC，结合311pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较低，有助于提升系统在高频工作下的整体效率并简化栅极驱动设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数与物理接口方面，STP3NK60Z在壳温（Tc）条件下可支持2.4A的连续漏极电流，最大功耗为45W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以管理热耗散。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，兼容常见的控制器输出。

凭借600V的高压阻断能力和SuperMESH技术带来的性能优势，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动辅助电源等场景。尽管其零件状态标注为不适用于新设计，但在许多现有产品和维护升级方案中，它依然是一个经过验证的可靠选择。对于需要获取此型号进行生产或维修的客户，可以通过授权的ST代理商渠道确保获得原装正品与技术支持。

• 型号:STP3NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3NK60Z是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温下2.4A的连续电流承载能力，为功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态特性平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.6Ω，有效降低了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=11.8nC）和输入电容（Ciss）确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗45W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热管理能力和环境适应性。