STP160N4LF6

STP160N4LF6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220通孔封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构融合了优化的单元设计和先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达120A的连续漏极电流。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压、60A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为2.9毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±20V，标准逻辑电平驱动（5V或10V）即可使其充分导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了与主流控制器的良好兼容性。

在动态性能方面，STP160N4LF6的栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大值为181nC，结合其输入电容（Ciss）特性，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的电压电流重叠损耗。其最大功率耗散能力为150W（Tc），结温工作范围宽达-55°C至175°C，提供了可靠的鲁棒性和热设计余量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。

凭借其优异的电气参数，STP160N4LF6非常适用于对效率和功率处理能力要求苛刻的场合。典型应用包括同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动控制、以及各类电源管理模块。其TO-220封装形式便于安装散热器，适合在工业电源、通信设备、电动工具和汽车辅助系统等领域的功率级设计中扮演核心开关角色。

• 型号:STP160N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP160N4LF6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的DeepGATE产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其卓越的功率处理能力与低损耗特性。

其规格参数定义了高性能开关的核心：漏源电压（Vdss）40V，在壳温25°C下连续漏极电流（Id）高达120A。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(On)最大值仅为2.9毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为181nC，有助于实现高效的开关性能。该器件设计工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），最大功率耗散为150W，为高可靠性应用提供了坚实基础。