PD57060STR-E

PD57060STR-E是一款由ST意法半导体设计生产的射频功率晶体管，采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术。该器件专为在945MHz频段附近的高功率、高效率射频放大应用而优化，其核心架构基于成熟的LDMOS平台，提供了卓越的功率密度、线性度以及热稳定性，使其在严苛的射频环境中能够保持稳定的性能表现。

该芯片在28V典型工作电压下，能够提供高达60W的射频输出功率，同时保持14.3dB的功率增益，这使其在驱动后级放大或直接作为末级功放时具备显著优势。其65V的高额定击穿电压为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性和可靠性，尤其适用于可能存在电压波动的应用场景。7A的额定电流能力确保了器件能够处理高峰值功率需求，而100mA的测试电流条件则反映了其在典型偏置下的工作特性。

在接口与物理封装方面，PD57060STR-E采用PowerSO-10封装，并带有裸露的底部焊盘。这种封装设计不仅优化了引脚布局以降低寄生参数对高频性能的影响，其裸露焊盘更极大地提升了器件的散热能力，便于通过PCB直接散热，这对于处理数十瓦级别射频功率的器件至关重要，是保障长期运行稳定性的关键。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术参数依然清晰地定义了其经典的应用定位。它非常适合于要求高输出功率和良好增益的UHF频段射频系统，例如专业的基站功率放大器、广播发射机、工业加热以及医疗射频能量应用。在这些场景中，器件的功率处理能力、效率以及LDMOS技术固有的耐用性是其核心价值所在，为系统设计者提供了一个经过验证的高性能射频功率解决方案。

• 型号:PD57060STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.3dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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PD57060STR-E是ST意法半导体推出的一款LDMOS射频功率晶体管，核心设计针对约945MHz的高功率放大应用。该器件在28V工作电压下可输出高达60W的射频功率，并提供14.3dB的增益，展现出强大的功率驱动与放大能力。

其技术规格突出了高可靠性设计，包括65V的额定电压和7A的额定电流，确保了在严苛工况下的稳定运行。采用带裸露焊盘的PowerSO-10封装，有效优化了高频性能与散热管理，使其成为基站、广播发射等专业射频系统中对功率与效率有严格要求的理想选择。