PD84010S-E

作为一款专为特定射频应用设计的功率器件，PD84010S-E采用了先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术架构。这种技术路线使其在870MHz的工作频率下，能够实现高功率密度与良好的线性度，是基站、中继器等设备中功率放大级的理想选择。其核心设计平衡了效率与增益，为系统前端提供了稳定可靠的放大能力。

该器件的功能特点突出体现在其性能参数上。在7.5V的测试电压下，它能提供高达16.3dB的功率增益，显著提升了信号链路的驱动能力。同时，其额定工作电压可达40V，并支持8A的连续漏极电流，确保了在动态工作条件下的鲁棒性。其输出功率能力为2W，适合中等功率级别的应用需求。值得注意的是，该产品已处于停产状态，用户在为新设计选型时需考虑替代方案或库存供应，ST中国代理可提供相关的产品生命周期与替代品咨询支持。

在物理接口与封装方面，PD84010S-E采用了PowerSO-10RF封装，并带有裸露的底部焊盘。这种封装形式不仅有利于射频性能的优化，减少了寄生参数的影响，其裸露的焊盘设计也极大地提升了器件的散热效率，这对于功率器件的长期稳定运行至关重要。良好的热管理能力是其能够在300mA测试电流条件下稳定工作的基础保障之一。

综合其技术规格，PD84010S-E主要面向工作在870MHz频段附近的专业无线通信设备。其典型应用场景包括专用移动无线电（PMR）、无线基础设施的末级驱动放大，以及其他需要高效率、高增益的射频功率放大环节。尽管已停产，但其在特定存量系统和备件市场中仍具有一定的技术参考与使用价值。

• 型号:PD84010S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16.3dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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PD84010S-E是ST意法半导体推出的一款射频功率LDMOS场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件针对870MHz频段优化设计，在7.5V工作电压下可提供16.3dB的高功率增益和2W的输出功率，具备良好的信号放大能力。

其核心优势在于结合了40V的高额定电压与8A的额定电流，确保了在严苛工况下的可靠性。裸露底部焊盘的封装设计进一步强化了散热性能，适用于对热管理有较高要求的射频功率放大电路。该产品主要服务于专业的无线通信设备应用。