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SH63N65DM6AG
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SH63N65DM6AG
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
原厂封装:
封装:9-ACEPACK SMIT
优势价格,SH63N65DM6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SH63N65DM6AG的技术资料下载
SH63N65DM6AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
型号:SH63N65DM6AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:9-ACEPACK SMIT
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):64 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):80nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3344pF @ 100V
功率 - 最大值:424W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:9-PowerSMD
供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
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