STI16N65M5

STI16N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为要求高耐压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电沟道，在650V的高漏源电压（Vdss）等级下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这是衡量功率MOSFET开关损耗与导通损耗的关键指标。

在功能特性方面，该器件在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达12A的连续漏极电流（Id），并具备90W的最大功率耗散能力，确保了在严苛工况下的可靠运行。其导通电阻最大值仅为279毫欧（条件为6A，10V），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在31nC（@10V），结合±25V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它能够被快速驱动，减少开关过程中的过渡损耗，并增强了栅极驱动的鲁棒性。较低的栅极电荷对于高频开关应用尤为重要，有助于降低驱动电路的需求并提升开关频率。

该MOSFET的接口参数体现了其作为高效开关的定位。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），提供了明确的导通与关断界限。输入电容（Ciss）最大值为1250pF（@100V），与Qg参数共同决定了开关动态特性。器件结温（TJ）最高可工作至150°C，宽泛的工作温度范围适应了工业环境的需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关的产品资料、库存信息及设计支持。

得益于650V的高耐压和MDmesh V技术带来的优异性能，STI16N65M5非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的初级侧开关、工业电机驱动和逆变器中的功率开关模块，以及UPS（不间断电源）和电焊机等高性能电源转换设备。其I2PAK封装提供了良好的机械强度和散热性能，适合通过散热器进行有效热管理，是构建高效、紧凑型功率系统的可靠选择。

• 型号:STI16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:279 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI16N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心特性在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及高达12A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为279毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值被控制在31nC，这有助于实现快速开关并降低开关损耗，尤其适用于追求高效率的电源转换拓扑。器件支持最高150°C的结温工作，确保了在高温环境下的可靠性。