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BZW50-22B的图片

BZW50-22B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 22VWM 51VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-22B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-22B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-22B是意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护机制。该器件设计用于在极短时间内(纳秒级)响应并吸收来自静电放电(ESD)、雷击感应浪涌或感性负载切换等事件产生的高能量瞬态过电压,从而为下游精密电路提供可靠的保护屏障。其内部采用单芯片集成工艺,形成一个双向通道,能够对正负两个方向的瞬态过压进行有效箝位,这一特性使其在交流或具有极性反转风险的应用中尤为适用。

该器件的关键性能参数体现了其强大的浪涌处理能力。其标称反向关断电压为22V,确保在正常电路工作电压下呈现高阻态,对系统影响极小。当瞬态电压超过其最小击穿电压24.4V时,器件迅速进入低阻抗导通状态,并将威胁性电压峰值箝位在最高51V的水平,这个箝位电压值对于保护常见的24V或更低电压等级的接口与电源线路至关重要。其峰值脉冲功率处理能力高达5kW,在8/20s的标准浪涌测试波形下可承受高达1.177kA的峰值脉冲电流,这为其在工业环境、通信基站等可能遭遇严酷浪涌冲击的场合提供了坚实的保障。如需获取该产品的详细技术资料或采购支持,可以咨询专业的ST芯片代理

在电气接口与物理特性方面,BZW50-22B采用通孔轴向封装(R-6),便于在PCB板上进行稳固的安装和焊接,其引线结构有利于散热和承受大电流冲击。需要注意的是,其典型结电容值为4250pF @ 1MHz,这一参数在应用于高速数据线路(如USB、以太网)时需要纳入整体信号完整性设计考量。器件被归类为“通用”应用型TVS,这得益于其宽泛的适用电压范围和强大的保护能力。

基于上述特性,BZW50-22B非常适合部署于需要 robust 过压保护的各类电子系统中。典型应用场景包括但不限于:工业自动化控制系统中的24V直流电源总线保护、通信设备(如路由器、交换机)的电源输入端口、车载电子设备的电源接口防护,以及任何使用22V至24V左右直流供电,且可能暴露于外部浪涌或内部开关噪声的电路节点。它为设计工程师提供了一种经过验证的、高效的解决方案,以提升终端产品的可靠性与抗电磁干扰(EMI)能力。

  • 型号:BZW50-22B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 22VWM 51VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):22V
  • 电压 - 击穿(最小值):24.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):51V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1177A(1.177kA)(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:4250pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-22B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-22B是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款高性能双向瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件专为吸收和箝位高能量瞬态脉冲而设计,其核心特性包括22V的反向关断电压、最高51V的箝位电压,以及高达5kW的峰值脉冲功率处理能力。

在8/20s的标准浪涌波形下,它能承受超过1.1kA的峰值脉冲电流,为后端电路提供强有力的过压保护。其通用型设计和轴向通孔封装(R-6)使其成为保护工业电源总线、通信设备接口及其他22V左右供电系统的可靠选择。

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