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BZW50-39的图片

BZW50-39

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 39VWM 90VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-39的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-39的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-39是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的BZW50系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一员,采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构。该器件设计用于在极短时间内(纳秒级)响应并吸收来自电源线、数据线或信号线上的高能瞬态电压脉冲,例如由雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)引起的浪涌,从而将敏感电子元器件后端的电压钳制在一个安全的水平,防止电路因过压而损坏。

该器件的一个显著功能特点是其强大的浪涌处理能力,能够承受高达5000W(5kW)的峰值脉冲功率,在标准的8/20s浪涌波形下,其峰值脉冲电流可达667A。这种高能量吸收能力使其能够应对严苛的工业或户外环境中的浪涌威胁。其反向断态电压为39V(典型值),击穿电压最小值为43.3V,当面临大电流浪涌时,它能将电压有效地钳位在最高90V的水平,为后端39V左右工作电压的电路提供了可靠的安全裕度。其单向导通的特性意味着它专门用于保护直流电路或具有明确极性定义的信号线路。

在电气参数方面,除了优异的钳位性能,BZW50-39在1MHz频率下具有4800pF的结电容,这一参数对于高频信号线路的保护选型是需要考虑的因素。它采用经典的轴向引线R-6封装,便于通孔安装(THT),具有坚固的物理结构和良好的散热特性。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取原装正品及完整的设计资料。

得益于其通用型的设计和强大的保护能力,BZW50-39非常适合应用于需要稳健过压保护的各类场景。典型应用包括但不限于:工业自动化控制系统中的直流电源端口保护、通信设备(如交换机、路由器)的电源输入防护、汽车电子中的负载突降保护、以及任何使用24V或48V直流电源总线,并可能暴露于外部浪涌风险的设备。其设计旨在为工程师提供一种简单、有效且经济的一级或次级保护解决方案,提升整个电子系统的可靠性与耐用性。

  • 型号:BZW50-39
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 39VWM 90VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):39V
  • 电压 - 击穿(最小值):43.3V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):90V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):667A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:4800pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-39的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-39是ST意法半导体生产的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列。该器件专为吸收和抑制高能量瞬态电压脉冲而设计,其核心特性包括39V的反向断态电压、高达5000W的峰值脉冲功率处理能力以及667A(8/20s)的峰值脉冲电流。

在遭遇浪涌时,它能将电压钳位在最高90V,为后端电路提供有效保护。其轴向R-6通孔封装结构坚固,适用于通用型的直流电源线路和信号端口保护应用,是提升系统可靠性的关键防护元件。

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