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BZW50-56B的图片

BZW50-56B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 56VWM 129VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-56B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-56B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款采用轴向R6封装的通孔式瞬态电压抑制二极管,BZW50-56B隶属于意法半导体(STMicroelectronics)广受认可的TRANSIL系列,其核心设计基于先进的齐纳技术。该器件内置一个双向通道,能够有效应对来自两个方向的瞬态过电压冲击,为电路提供对称的保护。其架构旨在以极快的响应速度将异常高压钳位至安全水平,从而保护下游敏感的电子元器件免受损坏。

该器件的关键电气特性使其在众多保护方案中脱颖而出。其反向断态工作电压为56V,而最小击穿电压为62.2V,这为常规工作电压提供了明确的安全裕度。在承受高达465A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,其最大钳位电压被严格限制在129V以内,展现了强大的浪涌抑制能力。这一性能得益于其高达5kW的峰值脉冲功率处理能力,使其能够吸收并消散巨大的瞬时能量。此外,其电容值在1MHz频率下为1700pF,这一特性使其在需要兼顾信号完整性的高速线路保护中,需要进行细致的权衡考量。

在接口与参数方面,BZW50-56B采用标准的轴向引线封装,便于在PCB板上进行通孔安装,具有良好的机械强度和散热特性。其设计适用于通用型保护场景,尤其适合保护工作电压在56V以下的电路节点。对于需要长期稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取原厂正品及完整的设计资料。器件的有源状态保证了其持续的生产与供应,满足各类项目的长期需求。

基于其通用型定位和强大的浪涌保护能力,BZW50-56B广泛应用于工业自动化控制、电源端口、通信设备及汽车电子等领域的电路保护。它能够有效防护因雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)引起的瞬态电压尖峰,提升整个电子系统的可靠性与鲁棒性。工程师在为其电源总线、数据线或I/O端口设计保护电路时,此型号是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:BZW50-56B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 56VWM 129VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):56V
  • 电压 - 击穿(最小值):62.2V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):129V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):465A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1700pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-56B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-56B是ST意法半导体推出的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列。该器件采用双向齐纳结构,设计用于为工作电压在56V以下的通用电路提供可靠的过压保护。

其核心优势在于强大的浪涌处理能力,能够承受高达465A的峰值脉冲电流,并将钳位电压有效限制在129V以下,峰值脉冲功率可达5kW。轴向R6通孔封装确保了稳固的安装和散热性能,适用于需要高可靠性保护的工业与汽车电子应用。

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