STH315N10F7-6

STH315N10F7-6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛汽车及工业应用的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术平台构建，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能平衡。通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，该芯片在单位面积内实现了更低的特定导通电阻（R_DS(on)），为高功率密度应用提供了坚实的基础。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，典型值仅为2.3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在180nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。器件采用H2PAK-6（TO-263-7）封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和更高的功率处理能力，其最大结温（T_J）可达175°C，确保了在高温环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STH315N10F7-6具备100V的漏源击穿电压（V_DSS），可有效应对负载突降等瞬态电压冲击。在壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达180A，峰值电流处理能力强劲。其栅源电压（V_GS）工作范围宽达±20V，提供了良好的抗干扰能力。该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，满足汽车电子对可靠性和耐久性的严格要求，用户可通过授权的ST代理商获取符合原厂标准的正品器件和技术支持。

凭借其高电流处理能力、低损耗特性以及汽车级的可靠性，此MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。典型应用包括电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的DC-DC转换器、电机驱动控制器、电池管理系统（BMS）中的主开关，以及工业电源、不间断电源（UPS）和高端服务器电源中的同步整流和功率开关模块。其表面贴装（SMD）封装也适应了现代电子设备高密度组装的需求。

• 型号:STH315N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH315N10F7-6是意法半导体基于STripFET VII和DeepGATE技术开发的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件在10V栅极驱动下，提供低至2.3毫欧（@60A）的导通电阻与180nC的栅极电荷，实现了传导损耗与开关损耗的优异平衡，有助于提升系统整体效率。

其额定参数包括100V漏源电压、180A连续漏极电流（T_C）以及175°C的最高工作结温，并采用散热性能出色的H2PAK-6封装。这些特性使其成为高可靠性、高功率密度设计的理想选择，尤其适用于严苛的汽车电子环境。