SO692

SO692是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装封装的PNP型双极性晶体管（BJT）。该器件采用成熟的平面工艺制造，其核心架构基于硅基PNP结，内部结构经过优化，旨在实现高击穿电压与良好开关特性的平衡。其紧凑的SOT-23-3封装集成了发射极、基极和集电极三个引脚，为高密度PCB布局提供了便利。

该晶体管的关键特性在于其高达300V的集电极-发射极击穿电压，这使其能够耐受较高的反向电压，适用于存在电压尖峰或需要电平转换的场合。同时，其集电极电流最大额定值为100mA，饱和压降在特定条件下（2mA基极电流，20mA集电极电流）典型值仅为500mV，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。其直流电流增益（hFE）在30mA集电极电流和10V集电极-发射极电压下最小值为25，提供了稳定的放大能力。此外，高达150°C的结温工作范围和310mW的最大功耗能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性。如需获取官方技术支持和供货信息，可以联系ST中国代理。

在接口与参数方面，SO692采用标准的SOT-23-3（亦称TO-236-3或SC-59）封装，引脚排列兼容行业通用规范，便于设计替换和批量生产。其集电极截止电流（ICBO）最大为100nA，表现出良好的关断特性。开关速度由50MHz的跃迁频率所表征，适合中低频的开关与放大应用。这些参数共同定义了一款适用于高压、小信号场景的稳健型晶体管。

基于其高压、低饱和压降及表面贴装的特性，SO692非常适合应用于离线式开关电源的辅助偏置电路、电话线路接口、高压侧开关驱动以及工业控制设备中的信号调理与隔离电路。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护、特定批次产品延续设计或对成本极其敏感且无需未来扩展的场合中，它仍然是一个经过市场验证的可靠选择。

• 型号:SO692
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:300 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 2mA，20mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:25 @ 30mA，10V
• 功率 - 最大值:310 mW
• 频率 - 跃迁:50MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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SO692是ST意法半导体生产的一款表面贴装PNP双极性晶体管。其核心优势在于高达300V的集电极-发射极击穿电压与100mA的集电极电流容量，结合低至500mV的典型饱和压降，使其在需要耐受高压并进行小信号控制或放大的电路中表现出色。

该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，最大功耗为310mW，工作结温高达150°C，确保了良好的功率处理能力和环境适应性。其50MHz的跃迁频率适用于中低频段的开关与线性放大应用。这些特性使其成为电源管理、通信接口及工业控制等领域中高压侧驱动和信号处理的经典选择之一。